在绝大多数应用中,SPT刻蚀等同于siN刻蚀,可以在导体刻蚀机中采用能产t很多聚合物的氟基气体,如CHFs、CH2F2和CHJF来进行刻蚀。⒏N对氧化物的选择性必须大于5,以减少氧化物侧墙的顶部损失,从而确保对多晶硅栅的有效侧墙保护。PI74FCT163244A高压和零偏置功率是各向同性刻蚀的常用方法,以减小自对准硅化物的损失。在SPT刻蚀中,自对准硅化物的损失需要控制在10%以下。不过,在部分SPT刻蚀中,当工艺时间被用来控制侧墙的去除量时,要得到达到目标的剩余⒏N宽度,使用少许的偏置功率是不可避免的。在全SPT刻蚀中,由于稀疏和稠密特征的刻蚀负载,它不可避免地要利用更长的过刻蚀时问来解决这个负载问题,这往往导致严重的白对准硅化物损失和更高的方块电阻。所有这些工 艺的挑战,需要有突破的SPT。在全SPT刻蚀和部分SPT刻蚀中,分别带有可灰化部分的重和四重侧墙,可以是替换当前NO侧墙的有潜力的候选者。举例来说,四重侧墙是由氧化物、可灰化部分、sN层和氧化物组成。对外层的薄氧化层,所用的SPT刻蚀时间很少。