洗边和退火
发布时间:2017/10/24 20:13:39 访问次数:1086
物理气相沉积的铜种子层在生长的过程中,铜会长到硅片的边缘,甚至会长到硅片的背面,XC17512LSC对后续工艺机台产生金属污染。另外,物理气相沉积的阻挡层和种子层在硅片边缘的均 匀性都不太好,铜会在阻挡层局部的薄弱地方扩散到介电材料中,引起失效【33]。而且,边缘不均匀的铜种子层与后续的薄膜存在黏附性问题,产生脱落,成为颗粒缺陷的来源。因此,化学电镀之后的洗边(EBR)非常必要。
图6.41为洗边装置,镀有铜的硅片正面朝上,在卡槽内高速旋转,一定比例的H2O2和H2SC)4的混合液体从硅片边缘的喷嘴喷出,把硅片边缘一圈的铜去除,洗边之后,阻挡层仍然保留在硅片上。
物理气相沉积的铜种子层在生长的过程中,铜会长到硅片的边缘,甚至会长到硅片的背面,XC17512LSC对后续工艺机台产生金属污染。另外,物理气相沉积的阻挡层和种子层在硅片边缘的均 匀性都不太好,铜会在阻挡层局部的薄弱地方扩散到介电材料中,引起失效【33]。而且,边缘不均匀的铜种子层与后续的薄膜存在黏附性问题,产生脱落,成为颗粒缺陷的来源。因此,化学电镀之后的洗边(EBR)非常必要。
图6.41为洗边装置,镀有铜的硅片正面朝上,在卡槽内高速旋转,一定比例的H2O2和H2SC)4的混合液体从硅片边缘的喷嘴喷出,把硅片边缘一圈的铜去除,洗边之后,阻挡层仍然保留在硅片上。
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