布线技术
发布时间:2017/5/29 17:09:57 访问次数:609
随着微电子器件特征尺寸越来越小,硅片面积和集成度越来越大,对互连和接触技术的要求越来越高。 IL422E除了要求有良好的欧姆接触外,对互连布线也有以下要求:①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性;②布线应具有强的抗电迁移能力;③布线材料可被精细刻蚀,并具有抗环境侵蚀的能力;
①布线材料易于淀积成膜,黏附性要好,台阶覆盖要好,并有良好的可焊性。
电迁移现象
电迁移是指在大电流密度作用下金属化引线的质量输运现象。在金属引线上有电场存在时,电子向正极迁移,而离子受电子裹挟有指向正极的作用,而电场对离子的作用叉指向负极,综合作用是质量(离子实)输运沿电子流方向。如图121所示是金属化引线的电迁移现象,在负极附近易形成空洞,正极附近易形成小丘。由此造成电路的开路或多层布线上下两层间的短接。
随着微电子器件特征尺寸越来越小,硅片面积和集成度越来越大,对互连和接触技术的要求越来越高。 IL422E除了要求有良好的欧姆接触外,对互连布线也有以下要求:①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性;②布线应具有强的抗电迁移能力;③布线材料可被精细刻蚀,并具有抗环境侵蚀的能力;
①布线材料易于淀积成膜,黏附性要好,台阶覆盖要好,并有良好的可焊性。
电迁移现象
电迁移是指在大电流密度作用下金属化引线的质量输运现象。在金属引线上有电场存在时,电子向正极迁移,而离子受电子裹挟有指向正极的作用,而电场对离子的作用叉指向负极,综合作用是质量(离子实)输运沿电子流方向。如图121所示是金属化引线的电迁移现象,在负极附近易形成空洞,正极附近易形成小丘。由此造成电路的开路或多层布线上下两层间的短接。
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