如前所述,为了解决曝光视场尺寸和镜头成本的矛盾,在光刻曝光设备上的发展是使用了一种称为步进扫描投影光刻的技术。步进扫描光学光刻系统是一种混合设备,融合了扫描投影光刻机和分步重复光刻机技术,M74HC4538TTR是通过使用缩小透镜扫描一个大曝光场图像到硅片上的一部分实现的。一束聚焦的狭长光带同时扫过掩模板和硅片。步进扫描光刻机(如图10-34所示)的标准曝光场子尺寸是26mm×33mm,使用6英寸投影掩膜。一旦扫描和图形转印过程结束,硅片就会步进到下一个曝光区域重复扫描过程。

   使用步进扫描投影光刻机曝光硅片的优点是增大了曝光场,可以获得较大的芯片尺寸。透镜视场只要是一个细长条形就可以了,就像较早的整片扫描投影光刻机那样。在步进到下一个位置前,它

通过一个小的,校正好的26mm×33mm像场扫描一个缩小的掩模板(通常是4倍)。大视场的另一个主要优点是有机会在投影掩模板上多放几个图形,因而一次曝光可以多曝光些芯片。