在金属化过程中,需要解决各种各样的问题(如台阶覆盖、电迁移等),使得金属化工艺既能满足电路性能要求,又能与集成电路制造工艺相容。制造工艺技HAT3004RJ-EL-E术中常用的金属材料很多,但是能满足要求的金属是铝,它已广泛地应用到双极和MOS集成电路中。铝的电阻率很低,能满足欧姆接触低阻的要求,与各种绝缘膜附着性好,又易于沉积和刻蚀等特点。但是铝也有缺点,主要是电迁移问题,硅在铝 中的扩散引起在AlSi界面向硅中楔进以及耐腐蚀性差等问题。因此出现了AlSi、AlSCu、AlCu合金,Pl―Si/Si,Pd―si/si、W/Si界面,△W、△N扩散阻挡层以及难熔金属或难熔金属硅化物、多晶硅/硅化物复合材料互连等。在集成电路中对器件内部的互连金属导电薄膜的要求如下:

   (1)欧姆接触,金属薄膜必须能够与N+型硅、芦型硅及Poly(聚酯纤维)形成低阻的欧姆接触;

   (2)电导率,要求电流在膜中的损失很小,具有高电导率,能够传导大电流密度;