(1)经过外延生长后的外延片首先要进行适当的清洗,如用丙酮、无水乙醇各煮沸两遍, BAF04-24153-0502无水乙醇超声清洗一遍,然后用大量去离子水冲洗,氮气吹干或甩干,以排除其对后道工序的影响;

   (2)蒸发透明导电电极材料ITo,要求满足3〃4刀的厚度要求,材料要致密性、黏附性、均匀性好;蒸发后要检测ITo的方块电阻和对应发射波长的透射率,进行高温退火处理,处理后再检测ITo的方块电阻和对应发射波长的透射率;

   (3)采用剥离工艺专用光刻胶光刻P电极;蒸镀或溅射P金属电极,电极材料如果直接与p型GaAs形成欧姆接触,有用AuznAu材料,与GaP接触用AWAuBc/Au/Ti/Al材料的,如果与ITo形成欧姆接触可以用AuGcNi/Atl材料或△/Al,金属材料的厚度1~3um, 根据不同功率和不同用途的器件从成本和性能考虑,金属蒸镀后采用超声剥离工艺形成P电极。

   (4)低端小功率产品下一步就开始背面减薄了,中功率或大功率器件一般要进行钝化,因此要增加一步生长S⒑2钝化层,sio2要求致密性、黏附性、均匀性好,厚度一般大于300nm,二次光刻电极引线孔,腐蚀孔内sio2后露出P电极压焊点。