MOCVD夕卜延生长中的基本机制和原理,已经有很多研究和讨论。 HD64F2177VTE33V本书主要参考了包括陆大成先生等人的著作的相关成果,在此简单介绍一些在LED外延生产中经常需要重点理解和掌握的基本知识点,抛砖引玉,帮助大家有个初步认识。较为全面的总结性介绍可 参阅陆大成先生等人的专著《金属有机化合物气相外延基础及应用》[1叫。分析MOCVD的外延生长机制和原理,首先需要准确认识MOCVD反应室的流场和外延生长的动力学特点。在MOCⅤD外延生长中,反应源气体源源不断地从供应系统进入反应室,经化学反应和外延生长后又源源不断地从反应室排到尾气系统,这一连续进气和排气的特点使得相关过程被归纳为开管流动系统。在这样的开管流动系统中,从反应区域上方到衬底以及托盘附近实际存在很大的温度梯度。反应气体流经反应室在衬底上滞留的时间较短,使得MOCVD可被认知为非平衡过程。对非平衡过程的分析研究必须考虑动力学因素。MOCVD生长动力学包括化学反应动力学和质量输运两部分的结合,结合热力学分析,我们可以了解晶体生长过程的基础,并且对MOCVD外延生长过程与特点进行分析和判断,估算外延层的生长速率、组分、掺杂等。