按照GB/T9178,集成电路的定义是具有高等效电路元件密度的一种小型化电路, AD8061AR它可视作由一个或多个基片上的互连元件组成且能执行某种电子线路功能的独立器件。随着超大规模集成电路工艺技术的发展,热载流子注入(Hot CaⅡicr珂ection,HcI)效应、与时间有关的介质击穿(△me~Dependcnt DiclcctricBre酞down,TDDB)、金属化的电迁移(Elec“omigration,EM)效应、负偏置温度不稳定性(Ncgativc Bias Tempcraturc Instability,NBTI)效应等失效机理限制着超大规模集成电路的可靠性。

   针对上述失效机理,可靠性试验项目包括热载流子注入效应(HCI)、与时间有关的栅介质击穿(TDDB)、金属化电迁移(EM)、负偏置温度不稳定性(NBTI)等。