集成电路工艺的可靠性试验是针对失效机理,应用可靠性测试结构,通过封装级或圆片级的加速试验,获取失效机理的可靠性参数和可靠性信息, N13T1确认生产线的可靠性水平。

   HCI效应可靠性试验所用的可靠性测试结构是MOsFET单管,沟道长度取cMOs工艺的特征值,源、栅、漏和衬底单独引出,可采用多指形式拼成大宽长比的MOs管。

   TDDB效应可靠性试验所用的可靠性测试结构是大面积的MOs电容,可采用多个小面积的MOS电容结构相并联的形式,构造大面积的MOs电容。

   金属互连线EM效应可靠性试验所用的可靠性测试结构是由CMOs工艺制作的具有特定条宽和长度的金属条,采用开尔文方式的四端结构进行电连接。连接通孔M效应可靠性评价的测试结构是单个或多个通孔,采用开尔文方式的四端结构进行电连接。

   NBTI效应可靠性试验所用的可靠性测试结构是PMOSFET单管,沟道长度取CMOS工艺的特征值,源、栅、漏和衬底单独引出,可采用多指形式拼成大宽长比的PMOsFET管。NBTI效应与PMOSFET的几何尺寸有关,可靠性测试应考虑多种宽长比的PMOSFET单管。