对于铜互连来说,钽(%)、氮化钽(%N)都是阻挡层金属的材料。这个扩散阻挡层必须很薄(约75A), EL5427CLZ以致不影响具有高深宽比填充薄膜的电阻率而又能扮演一个阻挡层的角色。

   采用CVD沉积铜电镀所必需的薄的种子层。种子层或触及电镀层是一层度为5OO~1000A的薄层并沉积在扩散阻挡层顶部(以钽为基础的阻挡层金属)。对于成功的电镀,沿着侧壁和底部,种子层是连续的,没有针孔以及空洞是至关重要的。如果种子层不连续,就可能会在电镀的铜中产生空洞。

   用于CVD铜的是气体Cu(hfac)2(TMVs),常温下为黄色气体,能通过在H2中还原Cu(hfac)2进行反应,其化学反应式如下:

   Cu(hhc)2(气体)+H2(气体)→Cu(固体)+2H2(气体)

   采用CVD工艺来沉积铜电镀薄的种子层。选择合适的工艺条件(沉积温度、时间、系统压力及反应剂浓度等),可以得到所要求的种子层薄膜的厚度。工艺完成后沉积的厚度应达到规范值。