栅氧化层厚度不同时沟道横向电场的分布
发布时间:2016/7/2 18:50:38 访问次数:1157
栅氧厚度在3.2~‰m范围内,横向电场的分布变化不大,最大的横向电场的位置保持不变,处在漏端(F0.54um)附近。但氧化层厚度减薄,使得氧化层中的纵向AD8056ARM电场增大,这有利于电子注入氧化层中,从图10.12中可以得到证实。因此随着氧化层厚度缩小,在漏端附近被加速的反型层电子与晶格原子碰撞更加激烈,产生碰撞电离更多,也就有更多载流子从沟道电场中获得足够的能量越过s√s⒑2界面 势垒被陷阱俘获或产生界面态,最终导致NMOs器件电参数漂移恶化。
图10.12 栅氧化层厚度不同时沟道横向电场的分布
栅氧厚度在3.2~‰m范围内,横向电场的分布变化不大,最大的横向电场的位置保持不变,处在漏端(F0.54um)附近。但氧化层厚度减薄,使得氧化层中的纵向AD8056ARM电场增大,这有利于电子注入氧化层中,从图10.12中可以得到证实。因此随着氧化层厚度缩小,在漏端附近被加速的反型层电子与晶格原子碰撞更加激烈,产生碰撞电离更多,也就有更多载流子从沟道电场中获得足够的能量越过s√s⒑2界面 势垒被陷阱俘获或产生界面态,最终导致NMOs器件电参数漂移恶化。
图10.12 栅氧化层厚度不同时沟道横向电场的分布
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