为了避免天线效应,应减小直接连接栅的多晶硅和金属1的面积,使它们的面积与晶体管的栅氧面积之比保持在一定的比例以下(该比例由芯片工厂给出)。 HCPL2531SD这可以通过采用金属2过渡来实现。在金属1的刻蚀过程中,金属2没有加工,因此直接连接到晶体管栅极的金属l的面积大大减小,避免了金属1所引起的天线效应。但是仍不能避免金属2的天线效应,因为在金属2的刻蚀过程中,金属1和通孔1己经存在,金属2上积累的电势会通过这些连接通道传到晶体管栅极,有可能使栅氧化层击穿。因此,金属2与晶体管的栅氧面积之比仍要保持在一定的比例以下。以此类推,各层金属都会对MOs管上的栅氧化层产生天线效应。应注意的是,大面积的多晶硅也有可能出现天线效应。因此,必须在设计时考虑其消除的方式。

   由于天线效应是在干法刻蚀时,暴露的导体收集电荷造成的,因此解决天线效应的方法有金属跳层(即采用第二层金属过渡)、用PN结将其电荷引入衬底,如图8.35所示。