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通孔腐蚀

发布时间:2016/6/19 18:22:03 访问次数:475

金属层2

沉积siN作为刻蚀阻挡层。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介质。沉积SiO2,作为刻蚀的终点层。二次涂覆低庀介质,再沉积s⒑2。随后进行通孔1的光刻,接着腐蚀二氧化硅和低屁介质,形成通孔,如图4.26所示。

金属层2

沉积siN作为刻蚀阻挡层。涂覆低EP2AGX45DF25C5N佬介质。沉积SiO2,作为刻蚀的终点层。二次涂覆低庀介质,再沉积s⒑2。随后进行通孔1的光刻,接着腐蚀二氧化硅和低屁介质,形成通孔,如图4.26所示。

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