金属铜的引入目的主要是为了减少RC延迟、降低功耗、减少串扰和提高可靠性。 CY27C512-70WMB作为导体,Cu有较低的电阻率,比传统的Al-si―Cu合金有更高的抗电迁移能力,而且由于可用更小的线来传送等量的电流,因此可降低费用,每一层可实现更紧密的封装密度。

   铜(Cu)按下列顺序在生产中使用:(1)用钨埋层来接触源、漏和栅区,对于某些短连线可用钨形成图形,而其他金属化都可使用Cu;(2)Cu可用双镶嵌方法来形成图形;(3)扩散阻挡层将建立在%或TaN基础上;(4)用PVD或CVD沉积一个Cu仔晶层;(5)通过电镀用Cu填充通孔和沟道;(6)Cu的CMP;(7)用带氮化硅的TN/TaN作为封盖层(Capping laycr)。仔晶层的均匀度以及没有针孔对于通过电镀获得低缺陷Cu沉积是非常重要的。

   Cu需要从所有4面来封盖。先沉积后形成图形的导体,它的热和残留应力不同于在图形区沉积的导体。因此,和AlsCu基的互连相比,整个应力模式是不同的,会产生新的缺陷类型。铜的磨损(Undcrcut)、金属空隙、刻蚀残留物是铜双镶嵌工艺的几个缺陷例子。