稳定性,要求在金属化工艺后,该金属与硅不发生反应;

   可刻蚀性,必须能够采用常规的HB105刻蚀方法,确定金属膜图形;

   黏附性,该金属与硅、s⒑2及薄膜所覆盖的任何材料的黏附性要好;

   可压焊,要求在压焊时能够形成良好的、牢固的电和机械接触;

   抗电迁移性,在大电流密度下,金属薄膜的完整性不被破坏,即金属抗电迁移能力强;

   台阶覆盖,要求具有良好的覆盖台阶能力,即台阶覆盖性好;

   可沉积性,要求薄膜易于沉积且在沉积过程中不改变器件的特性。

   在硅集成电路制造技术中所选择的金属有Al、Cu、W、△、%、Mo和Pt等。在硅集成电路制造技术中各种金属和金属合金可组合成下列种类:铝、铝铜合金、铜、阻挡层金属、硅化物、金属填充塞。