(1)用PECVD沉积内层氧化硅到希EL5455IS望的厚度,这里没有关键的间隙填充,因此PECVD是首选的制造工艺;

   (2)厚250A的Si3N4刻蚀阻挡层被沉积在内层氧化硅上。Si3N4需要致密,没有针孔,因此使用高密度等离子体化学气相沉积(High Dcnsi~P1asma cVD,HDPCVD)法进行沉积;

   (3)光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入阢N4中,刻蚀完成后去掉光刻胶;

   (4)为保留层间介质,进行PECVD氧化硅沉积;

   (5)光刻确定氧化硅槽图形,带胶,在确定图形之前将通孔窗口放在槽里;

   (6)在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道,停止在Si3N4层,穿过Si3N4层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口;

   (7)在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PⅤD沉积钽(%)和氮化钽(TaN)扩散层;

   (8)用CVD沉积连续的铜种子层,种子层必须是均匀的并且没有针孔;

   (9)用电化学沉积(ElectrOcllemicaI Dcposition,ECD)沉积铜填充,既填充通孔窗口也填充槽;

   (10)用CMP清除额外的铜,这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准各,最后的表面是金属镶嵌在介质内,形成电路的平面结构。