在水平系统中， G781P8F对更大直径的晶圆水平式放置，其装载密度低，并且更大的晶圆托架也会限制淀积的均匀性。桶式辐射加热系统（见图12. 13）解决厂这些问题。该系统的反应室是一种柱状的不锈钢桶，在内部表面放置了高密度的石英加热器。晶圆被放置在石墨的支架上．j该支架向桶的中心方向旋转。与水平系统相比，旋转后的晶圆可以有更均匀的薄膜厚度。

   来自灯泡的热能辐射到晶圆表面，淀积在晶圆表面发生。虽然反应室的壁被部分加热，但是该系统接近于冷壁系统。直接的热辐射产生控制良好和生长均匀的薄膜。在热传输系统中，晶圆的加热从底部开始，当薄膜生长时，晶圆的表面有一些微小但呵测量的温度下降。在桶式系统中，晶圆的表面总是面对着光源，这样可获取均匀的温度和薄膜生长速率，1987年，应用材料( Applied Material)公词引入了一种大的桶式系统，应用于更大直径的晶圆，该系统具有热感应系统的特点引1，该桶式反应室的主要优势在于通过每个周期增加晶圆数，提高厂生产效率。该系统广泛应用在900cC～l250℃范围内的外延淀积。