光刻胶的曝光图形分为光栅式和矢量式（见图10.7）。光栅式扫描是电子束从晶圆一边扫描到另一边然后向下。计算机控制方向和开关电子束。 NCP303LSN44T1光栅式扫描的缺点是费时，因为电子束要扫描整个晶圆表面。而矢量式扫描曝光，电子束直接移到需要曝光的地方，在每一个需要曝光的地方，曝出一个个小的矩形或长方形，直到需要的图形曝光完成。

   因为没有r光列掩模版和光学系统的误差，电子束曝光的晶片有很好的对准和套准结果。目前使用的电子束曝光系统，能得到0.25 ym的分辨率一3。大规模使用电子束曝光系统存在速度和费用的问题。之所以速度慢，其中一个原因是在曝光反应室中产生和释放真空需要很长时间。

   我们已经描述了电子束系统的基础。遗憾的是无掩模（光栅式或矢量扫描式）系统将图形复制到晶圆表面的速度太慢。一种使用电子束曝光的先进技术是电子束投影光刻( EPL)。该系统使用电子束曝光源、掩模版和扫描投影方法（见图10.8）。由朗讯(Lucent)技术公司开发的这个系统称为SCALPEL，使用了扫描掩模版。电子是高能的，并能通过大多数材料。而传统的掩模版阻止了部分曝光束，并允许其他部分通过，扫描掩模版允许这两段电子束通过。然而，如显示的那样，一部分掩模版散射电子束。减少r到达晶圆的透镜聚焦束。在此之间是一个孔径，它基本七允许未受阻的电子束流通过以到达晶圆表面，并阻止被散射电子束流。