由反应式可知,在⒊O2薄膜中会含有水汽,因而针孔密度较高,通常需要高温退火去除潮气,提高薄膜致密度。PIC16C505-04I/SL进行退火,对本工艺方法来说也就增加了能耗cAPC`0用TEOS/03来淀积⒏O2薄膜的主要优点是以TE(B为硅源,在淀积过程中,因TE(E与氧化硅的黏滞系数低,表面再发射能力强,对于有高深宽比孔洞和沟槽等微结构衬底的覆盖能力、填充能力优良,薄膜的均匀性就好。这种薄膜的电学特性也较好,可以作为绝缘介质薄膜,如集成电路各单元之间的浅槽隔离工艺中的氧化层介质膜就可以采用APCl/D TE(B/03方法淀积。另外,APCX△D是利用热能激活的C、⑩工艺,用TE(B/O3来低温淀积⒊02,避免了常规低温PECl/ˉD(或HDP CX/ˉlD)工艺方法在淀积s02薄膜时,由于等离子体的作用,对衬底硅片表面和边角带来的损伤。

   通常淀积s02薄膜是将APCVD TEOS/O3方法和其他方法结合起来使用,如将⒏H4/o2和TEOS/O3两种方法联用。这一方面是利用以TEOs/O3为反应剂能改善薄膜的台阶覆盖特性,另一方面能减小TEOS/O3在淀积厚膜时带来的张应力和减弱TEOS/03对下面膜层的敏感度。用TEO吖CJ。方法即可以淀积非掺杂sQ薄膜,用于金属层之间的绝缘层,也可以掺人PH3,形成RC,或者再掺人B,践,形成BPS。阝r和驴℃都可作为制各金属化系统之前的绝缘层,然后高温回流。RC回流条件为950℃,15~30血n;叩℃回流条件为800℃,60n△n。回流使掺杂的氧化层表面平坦、致密,且坚固。一个平坦的表面对于下一步的淀积薄膜或光刻图形都有利。