为了精确模拟器件特性,AD8054AR中用了较精确的物理模型,包括复合和寿命模型、AD8054AR迁移率模型、BTBT(带与带隧穿模型)、BGN(禁带变窄模型)及一些其他物理模型。

   MEDICI中的产生复合模型主要有SRH、AUGER、CONsRH、IMPACT.I、Ⅱ,TEMP等。根据深亚微米NMOSFET热载流子效应特点,这里选择CONsRII、AUGER和IMPACT。I模型。

   MEDIα提供多种迁移率模型,用户可以根据实际情况灵活选择模型。载流子迁移率/Jll和//p反映载流子输运过程中的散射机制。MEDICI提供了3大类型的迁移率模型,如表10.21所示。

   对于深亚微米MOSFET来说,随着器件特征尺寸缩小,沟道中横向电场显著增大,载流子在漏端附近可能获得足够能量成为热载流子,热载流子注入栅氧化层中,会导致si/S⒑2界面产生界面态和产生氧化层陷阱电荷。根据这一特点,这里模拟时选择CONMoB(低场、300K时载流子迁移率随杂质浓度变化模型)、FLDMOB(计入平行电场分量的迁移率模型)、sRFMoB2(本模型用在半导体一绝缘体界面,计入声子散射、表面粗糙散射和带电杂质散射)和TFLDMoB(一种任意集合结构的MOsFET反型层迁移率模型)模型。