- 对于数字电路优先使用地线网格2017/10/13 21:30:08 2017/10/13 21:30:08
- 在双面PCB中,对于数字电路优先使用地线网格,这种布线方式可以减少接地阻抗、接地回路和信号环路。地线和电源线的宽度最少应为1.5mm。NCP1522BSNT1G另外的一种布局是将接...[全文]
- 接地是控制干扰的重要方法2017/10/13 21:23:43 2017/10/13 21:23:43
- 在电子设备中,接地是NCN4557MTR2G控制干扰的重要方法。如果能将接地和屏蔽正确结合起来使用,可解决大部分干扰问题。电子设各中地线结构大致有系统地、机壳地(屏蔽地)、数字地(逻辑地)和模拟...[全文]
- 载流子受到界面散射影响有限2017/10/12 21:52:35 2017/10/12 21:52:35
- 为满足10nm及以下技术节点对提高载流子速度和最大化驱动电流的要求,同时最大限度地减少漏电流和功耗,沟道材料具各载流子从源端注人、PCF8563T/5以弹道或准弹道输运方式迁移至漏端似乎是必要的...[全文]
- 栅极电压夹断沟道的难度也越来越大2017/10/11 22:09:13 2017/10/11 22:09:13
- 在过去的半个多世纪中,以CMC)S技术为基础的集成电路技术一直遵循“摩尔定律”,OB3306QPA即通过缩小器件的特征尺寸来提高芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本,取得了巨大的经济效益与科学...[全文]
- 线性模型 2017/10/11 21:58:35 2017/10/11 21:58:35
- 线性模型描述在较小漏源电压VI灬偏置下的MC)SFET器件特性。顾名思义,线性模型描述了MOSFET作为一个线性器件工作。更具体地它可以被建模为一线性电阻,其电阻OB2540MP由栅极一源极电压...[全文]
- 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 2017/10/11 21:55:15 2017/10/11 21:55:15
- 一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻的现象称为场效应。利用场效应,使自OB2535CPA身具有放大信号功能的器件称为场效应器件。在这种器件薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的...[全文]
- 双极型晶体管2017/10/11 21:53:59 2017/10/11 21:53:59
- 双极型晶体管由两个PN结构成,其中一个PN结称为发射结,另一个称为集电结。OB2532MP两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。接在发射结一端和集电结一端的两个电极分别称为发射极和集电极,接在基...[全文]
- PN结自建电压2017/10/11 21:50:16 2017/10/11 21:50:16
- 热平衡状态下,半导体内的自建电压等于跨过整个耗尽区的电势差。由于热OB2353CPA平衡,意味着费米能级在整个PN结二极管内为常数,这个自建势将等于N型半导体费米能级EFn和P型半导体费米能级E...[全文]
- 半导体器件 2017/10/11 21:43:22 2017/10/11 21:43:22
- 本章主要介绍以硅材料为主的半导体器件,以及由这些半导体器件及其他电子元器件所构成的当代集OB2201CPA成电路不断按比例缩小所面临的挑战及可能的解决方案。半导体器件与集成电路经历...[全文]
- EUT应放置在高碉cm的非金属台上2017/10/10 21:01:54 2017/10/10 21:01:54
- 在使用吸收钳测量时,EUT应放置在高碉cm的非金属台上。被测导线沿水平方向拉成直线放置,以便吸收钳能沿着导线移动从而找出最大指示值。REF3125AIDBZR该导线至少应为最低测量频率的半波长加...[全文]
- 使用吸收钳来测量某些类型设备的电缆辐射骚扰功率2017/10/10 20:58:52 2017/10/10 20:58:52
- 使用吸收钳来测量某些类型设备的电缆辐射骚扰功率,要取决于设备的结构和尺寸。EF3112AIDBZR在每一个产品(簇)EMC标准中都应规定严谨的测量程序及其适用范围。如果不带连接导线的EUT的尺寸...[全文]
- EUT应放置在高硐cm的非金属台上2017/10/10 20:57:19 2017/10/10 20:57:19
- 在使用吸收钳测量时,EUT应放置在高硐cm的非金属台上。被测导线沿水平方向拉成直线放置,REF3040AIDBZT以便吸收钳能沿着导线移动从而找出最大指示值。该导线至少应为最低测量频率的半波长加...[全文]
- 使用吸收钳来测量某些类型设备的电缆辐射骚扰功率2017/10/10 20:56:12 2017/10/10 20:56:12
- 使用吸收钳来测量某些类型设备的电缆辐射骚扰功率,要取决于设各的结构和尺寸。REF3040AIDBZR在每一个产品(簇)EMC标准中都应规定严谨的测量程序及其适用范围。如果不带连接导线的EUT的尺...[全文]
- 通过改善工艺来控制缺陷密度2017/10/9 21:58:47 2017/10/9 21:58:47
- 有研究表明,在1040℃条件下,生长⒉GaN层会比⒇0℃条件下生长的少GaN具有更好地抑制多量子阱中缺陷的能力,从而提高LED芯片的抗静电的能力。RT9296GQW通过改善工艺来控制缺陷密度,能...[全文]
- 不像外加电源那样具有持续放电的能力2017/10/9 21:48:22 2017/10/9 21:48:22
- 复杂性:在静电N76E616AL48放电的情况下,起放电电源是空间电荷,因而它所储存的能量是有限的,不像外加电源那样具有持续放电的能力,故它仅能提供短暂发生的局部击穿能量。虽然静电放电的能量较小...[全文]
- 静电放电引起发光二极管PN结的击穿2017/10/9 21:47:15 2017/10/9 21:47:15
- 静电放电引起发光二极管PN结的击穿,是LED器件封装和应用组装工业中静电危害的主要方式。N28F010-150静电放电对LED的危害非常大,造成8%~33%的良率损失,而且其损伤不是直接表现出来...[全文]
- GaN基LED相较于其他类似器件对静电更敏感2017/10/9 21:41:55 2017/10/9 21:41:55
- 由于G瘀基发光二极管成功地实现商业化生产,G岔N基发光二极管在各个领域得到了广泛的应用。N25Q128A13BSF40G相对先前广泛使用的发光二极管,如基于GaAsP、AlGa、As、AlGaI...[全文]
- 目前通用的温度场软件模拟法主要有2017/10/9 21:36:54 2017/10/9 21:36:54
- 目前通用的温度场软件模拟法主要有:有限差分法、有限单元法和有限体积法。N25Q064A13ESF40F有限差分法(FDM)是应用最早,而且应用最广泛的方法。这种方法把求解温度场偏微分方程的问题转...[全文]
- 电阻是各种电子元器件和电路的基本特征2017/10/8 19:36:12 2017/10/8 19:36:12
- 电阻是各种电子元器件和电路的基本特征,利用万用表测量电子元器件或电路各点之间的电阻值来判断故障是一种很常用的方法。QPI-8LZ测量电阻值有“在线”和“离线”两种基本方式。“在线”测量,需要考虑...[全文]
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