- sACVD薄膜生长的选择性2017/10/21 12:36:21 2017/10/21 12:36:21
- 像所有其他SACVD03TEOS工艺一样,HARP沉积工艺也对衬底材料表现出了很高的敏感性。K4H561638H-UCCC如表4.7所示,HARP在si02上比在⒏N上的沉积速率慢。这种敏感性与...[全文]
- 万用表选择开关拨至R×1挡2017/10/20 21:41:28 2017/10/20 21:41:28
- 万用表选择开关拨至R×1挡,对于1~6A单向晶闸管,红表笔接K极,黑表笔同时接通G、A极,NCP1200AD100R2在保持黑表笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至100Ω,此时晶闸管...[全文]
- 示波器外壳对地需绝缘2017/10/19 22:13:46 2017/10/19 22:13:46
- 一台⒛MHz双踪示波器,若示波器的电源线是二芯插头的,则应注意“地线”不能接,RC4200M示波器外壳对地需绝缘,仅使用一踪探头,示波器的X轴、y轴均需校准。若无高压示波器探头,应用电阻做一个分...[全文]
- 覆盖层2017/10/18 21:01:57 2017/10/18 21:01:57
- 高乃介质的另一个挑战是yt的调节。多晶硅栅极可以通过不同的掺杂实现(P型和N型),金属栅极则需要找到适合PMOS和NMOS的具有不同功函数的金属材料。NCP3170ADR2G不幸的是大多数栅极金...[全文]
- 界面层2017/10/18 20:59:12 2017/10/18 20:59:12
- 高乃介质的一个挑战是维持器件的高驱动电流,如前所述,在高乃介质上面采用金属电极取代多晶硅,NCP305LSQ15J可以减少沟道内电子迁移率损失,但还需要在高虑介质和⒏基底之间加入Si()2/Si...[全文]
- 源漏极及轻掺杂源漏极的掺杂浓度相对越来越高2017/10/18 20:45:54 2017/10/18 20:45:54
- 而源漏极及轻掺杂源漏极的掺杂浓度相对越来越高,这就要求作为栅极氧化层的氮氧化硅中,NC7SV74K8X氮的含量越来越高,同时尽可能的靠近上表面。在这种情况下,等离子体氮化工艺就应运而生[3dJ。...[全文]
- 垂直沟道型三维电荷俘获存储器单元与能带结构2017/10/17 21:37:38 2017/10/17 21:37:38
- 目前,各个存储器公司也相继发布了各自的闪存量产计划。相比于三维浮栅闪存,维电荷俘获闪存具有更好的器件可靠性,垂直沟道型三维电荷俘获存储器目前已成为国际上最主流的三维存储器,为了抢占市场有利地位,...[全文]
- 存储器技术和制造工艺 2017/10/17 21:18:42 2017/10/17 21:18:42
- 在广泛应用于计算机、消费电子和通信领域的关键技术中,半导体存储器技术占有一席之地。T435-600B-TR存储器的类别包括动态随机读取存储器(DRAM)、静态随机读取存储器(SRAM)、非易失性...[全文]
- 磁通线是电流流经一个固定或变化的阻抗时产生的2017/10/16 21:01:23 2017/10/16 21:01:23
- 磁通线是电流流经一个固定或变化的阻抗时产生的。在一个PCB走线网络中,RClamp0522P.TCT阻抗总是存在于PCB走线、组件的焊接线或过孔中。果磁通存在于PCB内,射频能量的各种传送通路也...[全文]
- 离子与衬底的作用主要是对衬底表面的撞击2017/10/15 17:58:38 2017/10/15 17:58:38
- 离子与衬底的作用主要是对衬底表面的撞击,这有可能使得已淀积物发生溅射,溅射物以PIC12F675不同角度离开时,有一些会淀积在高台阶边缘,从而改善台阶覆盖。溅射也影响薄膜的密度和附着性。...[全文]
- 与衬底分子(或原子)会形成化学键(或化学吸附)来降低系统自由能2017/10/15 17:34:22 2017/10/15 17:34:22
- 在淀积薄膜制备工艺中相对于后面第8章物理气相淀积而言,薄膜附着性好,与衬底结合得更加牢固。PIC12F509这是因为化学气相淀积工艺制各的薄膜物的分子(或原子)是通过化学反应在衬底表面生成的,自...[全文]
- 沉积多晶硅层和硬掩模层2017/10/14 11:05:39 2017/10/14 11:05:39
- 心区域和I/O区域都已经生长了晶体管以后,沉积多晶硅层和硬掩模层(薄的⒏ON和PECVD二氧化硅)。R1EX24256BSAS0I在沉积了栅层叠之后,将硬掩模进行图形化(使用掩模poly,并用对...[全文]
- n-阱和p-阱的形成2017/10/14 11:02:31 2017/10/14 11:02:31
- 阱和″阱的形成如图3,5所示,包括掩模形成和穿过薄牺牲氧化层(SAGox)的离子注人。R1EX24256BSAS0A⒈阱和广阱的形成顺序对最终晶体管的性能影响很小。后面会在ll阱中...[全文]
- 隔离的形成2017/10/14 11:00:13 2017/10/14 11:00:13
- 浅槽隔离(STI)的形成如图3.4所示,I艺参数对应于90nm节点。I艺首先对硅衬底进行热氧化(被称作初始氧化,initia⒈ox),厚度100A,然后通过LPCVD的方式沉积一层氮化硅(130...[全文]
- 逻辑技术及工艺流程 2017/10/14 10:55:30 2017/10/14 10:55:30
- 本节将介绍CMOS超大规模集成电路制造工艺流程的基础知识,重点将放在I艺流程的概要和不同I艺步骤对器件及电路性能的影响上。图3.1显示了一个典型的现代CMC)S逻辑芯片(以65nm节点为例)的结...[全文]
- 用于NMOS器件的可以是铪化物与一种带有更多正电性的绝缘材料2017/10/14 10:40:22 2017/10/14 10:40:22
- 另一种实现高虑绝缘材料/金属栅电极的技术解决方案是,沉积两种不同的绝缘材料来取代不同功函数的金属。R1EX24064ATAS0A用于NMOS器件的可以是铪化物与一种带有更多正电性的绝缘材料,如氧...[全文]
- 自对准硅化物工艺2017/10/14 10:30:41 2017/10/14 10:30:41
- 源漏区的单晶硅和栅极上的多晶硅即使在掺杂后仍然具有较高的电阻率,白对准硅化物(salicide)工艺能够同时减小源/漏电极和栅电极的薄膜电阻R1EX24064ASAS0A,降低接触电阻,并缩短与...[全文]
- 信号的传递发生在信号状态改变的瞬间2017/10/13 21:46:47 2017/10/13 21:46:47
- 通常认为如果数字逻辑电路的频率达到或者超过0~s~~sOMHz,而且工作在这个频率之上的电路已经占到了整个电子系统的一部分(如1/3),就称为高速电路。NCP4894MNR2G实际上,信号边沿的...[全文]
- 地的铜填充简称覆铜2017/10/13 21:31:33 2017/10/13 21:31:33
- 地的铜填充简称覆铜,又称灌铜,就是将PCB上闲置的空间作为基准面,然后用固体铜填充。NCP1523BFCT2G覆铜的意义在于:减小地线阻抗,提高抗干扰能力;降低压降,提高电源效率;与地线相连,以...[全文]
- 对于数字电路优先使用地线网格2017/10/13 21:30:10 2017/10/13 21:30:10
- 在双面PCB中,对于数字电路优先使用地线网格,这种布线方式可以减少接地阻抗、接地回路和信号环路。地线和电源线的宽度最少应为1.5mm。NCP1522BSNT1G另外的一种布局是将接...[全文]
热门点击
- 中频变压器(中周线圈)
- 拉尖是指焊点表面有尖角、毛刺的现象
- n-阱和p-阱的形成
- 自对准硅化物工艺
- 激光干涉仪分为单频激光干涉仪和双频激光干
- 碳膜电阻体会因电流过大而严重烧坏
- 工序与工步
- sACVD薄膜生长的选择性
- 计算机病毒的最终目的就是为了破坏
- 常用电阻器的额定功率及其外形尺寸
IC型号推荐
- MSA-1105-TR1
- MSA1105TR1G
- MSA-1105-TR1G
- MSA1110
- MSA-1110
- MSA-1120
- MSA1162GT1
- MSA1162GT1G
- MSA1162Y/2SA1162
- MSA1162YT1
- MSA1162YT1G
- MSA131RS
- MSA-16186-TR1
- MSA-2011
- MSA-2011-BLK
- MSA-2011-BLKG
- MSA-2011-TR1
- MSA-2011-TR1G
- MSA-2011-TR2G
- MSA-2035
- MSA-2035-TR1
- MSA-2084-TR1
- MSA-2085
- MSA-2085-TR1
- MSA2086
- MSA-2086
- MSA-2086-BLKG
- MSA2086TR1
- MSA-2086-TR1
- MSA2086TR1G
公网安备44030402000607
