静电放电引起发光二极管PN结的击穿,是LED器件封装和应用组装工业中静电危害的主要方式。 N28F010-150静电放电对LED的危害非常大,造成8%~33%的良率损失,而且其损伤不是直接表现出来,使得对EsD损伤很难防护。静电损伤具有如下特点。

   (1)隐蔽性:人体不能直接感知静电,即使发生静电放电,人体也不一定能有电击的感觉,这是因为人体感知的静电放电电压为2~3kV。大多数情况都是通过测试或者实际应用,才能发现LED器件已受静电损伤。

   (2)潜伏性:静电放电可能造成LED突发性失效或潜在性失效。突发性失效造成LED的永久性失效:短路。潜在性失效则可使LED的性能参数劣化,例如漏电流加大,一般GaN基LED受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可治愈。

   (3)随机性:从LED芯片生产后一直到它损坏以前所有的过程都受到静电的威胁,而这些静电的产生也具有随机性。但是由于芯片的尺寸极小,约0.2mm×0.2mm,电极之间的距离就更小,如果处在静电场屮,两极之间的电势差别接近于零;电极的微小面积,局限了接触静电放电的状态。因此,芯片受到静电损伤的概率比器件要小得多。