有研究表明,在1040℃条件下,生长⒉GaN层会比⒇0℃条件下生长的少GaN具有更好地抑制多量子阱中缺陷的能力,从而提高LED芯片的抗静电的能力。RT9296GQW通过改善工艺来控制缺陷密度,能有效提升LED芯片的抗EsD能力。如果在GaN基LED芯片中掺入调制掺杂的AlC・aN/GaN超晶格,当LED芯片遭受静电冲击时,这种结构能够有效地引导冲击电流,使这个脉冲电流在AlGaN/GaN结构的二维电子气中沿横向方向上传导,使得脉冲电流的密度分布更加均匀,从而使LED的PN结被击穿的可能性得到很大的降低。虽然这样的AlGaN/GaN超晶格结构产生的横向电流引导能够有效地改善芯片ESD保护能力,但是,这种结构也会导致LED的发光量略有降低,因此使得LED的发光效率降低。

   最简单的LED EsD保护电路由并联一个反向二极管构成,这个二极管使反向的静电电能释放掉,使过量电流通过二极管流向大地。但在LED芯片的内部集成这种保护二极管,会影响LED的发光效率,导致这种影响的主要原因是二极管的电极会阻挡光的输出。如果

采用倒装式的LED封装技术,或者ITo透明电极技术,这种阻挡影响就会减小,从而使发光效率得到改善。当然,用于集成LED内的这种保护二极管需要满足一定的参数条件,否则就会对LED的正常工作造成影响。虽然理论分析发现,提高掺杂浓度会影响到LED的抗静电能力,但是也会影响LED的频率响应速度,需要在提高抗静电能力和减小频率影响之间做适当的选择。