高乃介质的一个挑战是维持器件的高驱动电流,如前所述,在高乃介质上面采用金属电极取代多晶硅,NCP305LSQ15J可以减少沟道内电子迁移率损失,但还需要在高虑介质和⒏基底之间加入Si()2/Si()N作为界面缓冲层,进一步改善电子迁移率。界面层还有助于界面的稳定性和器件的可靠性,因为在以前多个技术节点,⒏o2/Si()N与⒏基底界面的优化已经研究得十分深人了。当然,界面层的存在也有不利的一面,它使得整体栅极介质(由低虑值的Si()2/Si()N和高乃值的HfO2族介质构成)的乃值降低,从而影响Ef)T的降低,所以必须严格控制它的厚度。

  界面层的形成可以采用s的高温氧化(如ISSG工艺),或化学氧化来实现。