- 多晶硅薄膜的性质与用途2017/5/20 21:36:41 2017/5/20 21:36:41
- 多晶硅是由大量单晶硅颗粒(称晶粒)和晶粒间界(叉称晶界)构成的。集成电路工艺中的多晶硅薄膜,晶粒尺寸通常在100nm左右,晶界宽度在0,5~1nm之间。ACT334US-T不同的制备工艺,不同的...[全文]
- 离子注人的沟道效应2017/5/15 21:44:11 2017/5/15 21:44:11
- 对晶体靶进行离子注人时,当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时,其运动PG985C3R轨迹将不再是无规则的,而是将沿沟道运动并且很少受到原子核的碰撞,因此来自靶原子的阻止作用要小得多,而且沟道...[全文]
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- 漂硼硅玻璃2017/5/14 18:23:23 2017/5/14 18:23:23
- 漂硼硅玻璃:预淀积后的扩散窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃,应在10%HF中漂约10秒钟,去除这层硼硅玻璃。再分布:是限定源扩散,硼源总R3111N451A-TR-F量已在预淀积时扩散...[全文]
- 替位式扩散(St1bstituJc,nal)2017/5/13 18:21:36 2017/5/13 18:21:36
- 在高温下,晶格原子在格点平衡位置附近振动。基质原子有一定的概率获得足够的能量脱离晶格格点而成为间隙原子,因而产生一个空位。MAX2361ETM-B4A杂质进入晶体后,占据晶格原子的原子空位(空格...[全文]
- 监控系统2017/5/10 22:22:18 2017/5/10 22:22:18
- 在BE生长室中有完备的监控系统,这也是MBE生长的外延层质量好的前提和保证。当前,MAX1714EEE监控系统主要由四级质谱仪、俄歇电子能量分析器、离子枪和高能电子衍射仪组成。这样的监控系统能够...[全文]
- 提纯2017/5/7 17:32:21 2017/5/7 17:32:21
- 粗硅的提纯是一系列物理化学过程。因为硅不K4S561632E-UC75溶于酸,所以粗硅的初步提纯一般用酸洗方法,先去除含量大的铁、铝等金属杂质;进一步的提纯一般采用蒸馏方法,而蒸馏方法只能提纯液...[全文]
- HRpt高分辨率图像资料处理器2017/5/4 19:41:06 2017/5/4 19:41:06
- 取观察地球星下点两侧±55.4°范围目标,每个通道⒛48采样点,因此相邻轨道图像有8%的重叠率,Q71800020000200视场采样频率绷kHz,重叠率33%,在时序逻辑控制下对通道信号A/D...[全文]
- 点目标检测能力计算 2017/5/1 14:34:07 2017/5/1 14:34:07
- 点目标信号通常需要经过滤波和检测算法处理,然后才能判定是否确实为目标。信HCF4098M013TR号的滤波和检测算法处理属于能量检测的范畴;而判定是否为目标则属于统计检测的范畴[24’25,27...[全文]
- 恒星检校法2017/5/1 14:29:12 2017/5/1 14:29:12
- (1)恒星检校法基于特定地点、特定时HCF4093M013TR间的恒星方位角和天顶距为已知的原理所进行的摄影机检校称为恒星检校法。其主要是利用恒星的天球坐标为参考系,利用摄影机对恒...[全文]
- 辐射度学是对光学辐射进行评价的一门科学2017/4/22 22:26:02 2017/4/22 22:26:02
- 辐射度学是对光学辐射进行评价的一门科学。光度学是可见辐射作用于人眼引起光的感觉,是一种生理效应,它与辐射的组成、M45PE20-VMN6TP强弱以及人的视觉器官的生理特性和人的心理...[全文]
- 原子显微镜的研制成功2017/4/22 22:21:23 2017/4/22 22:21:23
- 近十几年来工程领域的加工精度已达到0.1斗m,甚至0.01ym的水平。它对测M29W320ET-70N6量技术提出了更高的要求,迫切需要开拓新的测量手段,因此先后出现了各种纳米测量显微镜,如隧道...[全文]
- 可将大容量化技术分为两大类2017/1/23 20:58:12 2017/1/23 20:58:12
- MOsFET和IGBT等全控型功率半导体器件的容量已日益扩大,与⒑BT及MOS-FET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化,给中频和超音频中频电源的设计、IDT821034DN制造奠定了技术基...[全文]
- 光导纤维传感器的出现2017/1/22 17:20:07 2017/1/22 17:20:07
- 光导纤维传感器的出现,在传递图像和检测技术方面又开拓出一片新的天地,为光电AD9283BRSZ-100检测技术小型化等开辟了广阔前景。光纤检测技术可以解决传统检测技术难以解决或无法解决的许多问题...[全文]
- 非接触测量2017/1/19 19:26:03 2017/1/19 19:26:03
- 非接触测量。光照到INA131BP被测物体上可以认为是没有测量力的,因此也无摩擦,可以实现动态非接触测量,是各种测量方法中效率最高的一种。寿命长。在理论上光波是永不磨...[全文]
- 湿敏电阻器的主要参数如下2017/1/16 20:37:39 2017/1/16 20:37:39
- 主要参数湿敏电阻器的主要参数如下。①相对湿度在某一温度值下,空气中所含水蒸气KDV202E-B-RTK/P的实际密度与同一温度下饱和密度之比;通常以RH来表示,如⒛%...[全文]
- 需要注意的参数包括热电阻器的额定功率2017/1/16 20:08:03 2017/1/16 20:08:03
- 选用热电阻器时,需要注意的参数包括热电阻器的额定功率、最大工作电压、标称阻值,K9F1208U0C-PCBO以及最高工作温度和电阻温度系数等;此外,鉴于热电阻器型号较多且其温度系数有正负之分,选...[全文]
- 解算报告窗口会停止更新内容,2017/1/14 18:14:32 2017/1/14 18:14:32
- 在单击Prepareand№lve按钮后,Opera3D会生成解算文件,然后自动调用解算程序对其进行解算。S1D137162B4解算完成后生成后处理文件,覆盖原解算文件,即与解算文件同名;如果单...[全文]
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- 半导体照明是用第三代半导体材料制作的光源2016/10/28 21:22:17 2016/10/28 21:22:17
- 以发光二极管(LightEmittingDiodc,LED)为核心的新一代半导体照明(Scmiconduct∝~ughtillg,也称为So旧StatcjghJng,SSL,即固态照明)是对传统...[全文]
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