- 系统化的良率分析方法2017/11/21 21:15:39 2017/11/21 21:15:39
- limitedyieId半导体△产制造中时常用yield作为指标来进行分析。在很多时候,由于测试顺序等原/xl,yield对于失效机制的反映存在一定的偏差,所以需要引limi1ed...[全文]
- FA的案例2017/11/20 20:59:16 2017/11/20 20:59:16
- 分析数据时,从不同角度去理解,得到的结论可能会有很大的差异:这要求⒈程分析员具备相应的知识和技能,对于实验数据进行深人的挖掘图17,25给出了一个典型的案例。TJA1040T/N1单从wafer...[全文]
- 良率学习(yield Iearning)速度的评价2017/11/19 17:27:25 2017/11/19 17:27:25
- 从产品研发到实现量产,主要yicldlcarning的阶段兕图17,8。产品设计和⒈艺研发阶段,熏点是在器件/工艺流程的建立和优化以及各种在线和离线的yiCld观测手段。OMAP1...[全文]
- 判异准则2017/11/19 17:00:57 2017/11/19 17:00:57
- 判异准则(WECOmle)有点出界和界内点排列不随机两类。由于对点子的数日未加限制,HCF4071M013TR故后者的模式原则上可以有很多种,但在实际中经常使用的只有具有明显物理意义的若干种。在...[全文]
- 椭偏仪2017/11/18 17:27:12 2017/11/18 17:27:12
- 偏振光椭圆率测量仪所需的组件包括:①把非偏振光转化为线性偏振光的光学系统;SC45141②把线性偏振光转化为椭圆偏振光的光学系统;③样品反射;①测董反射光偏振特性的光学系统;⑤测量光强度的探测器...[全文]
- 扫描电镜2017/11/15 20:42:58 2017/11/15 20:42:58
- 扫描电子显微镜(简称扫描电镜)是集成电路失效分析屮主要的观测仪器,是⒛世纪80年代发展起来的一种精密的大型电子光学显微镜。SEM的分辨率.如日立公司的商用冷场发射电子显微镜。加速电压为15kV时...[全文]
- 样品制备技术2017/11/15 20:32:29 2017/11/15 20:32:29
- 有选择地进行剥层分析,称为样TJA1055T/3品制备过程。由于半寻体器件封装材料和多层布线结构的不透明性,对大部分失效分析问题,必须采用解剖分析技术.实现芯片表面和内部的可观察性和可探测性。I...[全文]
- 非破坏性分析2017/11/13 20:24:47 2017/11/13 20:24:47
- 对器件不产生物理损伤的检测。在失效SY88903VKI分析流程中常指不必打开封装对样品进行失效定位和失效分析的技术。主要用于封装缺陷和引线断裂的失效定位,采用的主要仪器包括X射线透视和扫描声学显...[全文]
- 光刻DFM2017/11/12 16:52:02 2017/11/12 16:52:02
- 在先进的半导体工艺中,光刻是D「M最初关注的问题∷。如今.光刻还是DFM屮最关键的领域。R0D8/26-3C60随着T∶艺设各和计算机模型技术的发展,光刻已经成为一个复杂的知识体系。在本节中,我...[全文]
- 抛光前的等待时问2017/11/11 18:30:46 2017/11/11 18:30:46
- 抛光前的等待时问。镀铜后QL12X16B-XPF208C,抛光前,如果晶片长久等待,有时会发现在抛光后会发生铜的块状剥离,见图11,21。这是因为镀铜后长久等待时,铜会发生白我韧化(sdfmnc...[全文]
- 光刻对平坦度日益迫切的要求2017/11/10 22:38:26 2017/11/10 22:38:26
- ⒛世纪90年代初期,光刻对平坦度日益迫切的要求,催生了化学机械平坦化(CMP)I艺,它开始被用于后端(BEOI')金属连线层间介质的平整,当时还是一个不被看好的丑小鸭。然而随着时光的流逝,Ⅱ小鸭...[全文]
- 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用2017/11/7 21:41:27 2017/11/7 21:41:27
- 65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对...[全文]
- 有机相溶去除(铝线或HKMG制程)2017/11/6 21:24:05 2017/11/6 21:24:05
- 有机湿法去除光阻是靠打断光阻分子结构。早期的S912XEG128J2CAA有机去除剂主要是苯基系列,如EKC早期系列等,使用较为普遍,但由于其制程耗酸量大,难处理等原因,渐渐被少苯或无苯有机系列...[全文]
- 实验中要对各种仪器进行综合使用2017/10/27 21:16:36 2017/10/27 21:16:36
- 在电子技术实验中,最常用Z8F2480SJ020EG的电子仪器有:示波器、信号发生器、直流稳压电源、交流毫伏表等。它们和万用表一起,可以完成对电子电路的静态和动态工作情况的测试。实...[全文]
- 线宽均匀性 2017/10/26 21:10:34 2017/10/26 21:10:34
- 半导体工艺中的线宽均匀性一般分为:芯片区域(chip)内、曝光区域(shot)内、硅片S-3530A(wafer)内、批次(lot)内、批次到批次之间(lot-to-lot)。影响线宽均匀性的因...[全文]
- 光刻分辨率的表示2017/10/25 21:01:29 2017/10/25 21:01:29
- 前面提到了光刻分辨率由系统的数值孔径和波长决定,当然还有与乃l因子相关的光刻分辨率增强方式有关。P1302/2CR2C本节主要介绍如何评判光刻工艺的分辨率。我们知道,光学系统的分辨...[全文]
- PⅤD Ti2017/10/23 20:43:49 2017/10/23 20:43:49
- 为了解决gluclarr厚度与填洞要求的矛盾,业界的主要努力集中在提高阶梯覆盖率方面,OPA2227UA在不改变沉积厚度的前提下,尽量增加生长在侧壁的薄膜厚度。对于Ti,一直采用PVD工艺。对于...[全文]
- CMOs与鳍式MOsFET(FinFET)2017/10/17 21:17:25 2017/10/17 21:17:25
- 伴随着CMOS器件工艺特征尺寸持续地按比例缩小到14nm及以下技术节点以后,通过采用三维器件结构,T010051从垂直方向进一步增大沟道宽度,进而增加沟道电流。这种具有垂直方向沟道的新颖三维晶体...[全文]
- 扫描电路产生的扫描信号2017/10/8 19:28:04 2017/10/8 19:28:04
- 当电子开关采用断续转换工作方式时,在X轴扫描的每一个过程中,电子开Q0370R关都以足够高的转换频率,分别对显示的每个被测信号进行多次取样。这样,即使被测信号频率较低,也可避免出现波形的闪烁现象...[全文]
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