65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法应用

   在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对Ni和别的硅化物金属较为惰性,W134SHTR有关未反应NiPt合金的去除也极为挑战,详细回顾9.7节.

  15nm以下CMOS已进人半导体丁业的新时代,一方面是栅厚度缩小,带来较高栅漏电流,因而栅sO3电介质被新的材料替代:另一方面,多晶硅栅极显示对总栅介电层厚度有3~5A损耗作用;再者由于硼(B)的渗透.多晶硅也与PM()S的高泛介质不兼容解决这些问题的有效办法是用金属栅替代多品硅栅,这些高虍介质和金属材料引入逻辑CM()S的制造,将给湿法清洗带来很多不便和挑战。