- 晶体管的工作原理2012/5/8 20:32:50 2012/5/8 20:32:50
- 晶体管内部的工作原理很简单，如图1.4所示，对基极PS2707-1与发射极之间流过的电流进行不断地监视，并控制集电极发射极间电流源使基极一发射极间电流的数十至数百倍（依晶体管的种类而异）的电流流在集...[全文]
- 热学性能对可靠性的影响与控制2012/5/7 19:44:58 2012/5/7 19:44:58
- 外壳热学性能对声表面波LMX2330器件可靠性的影响主要有：(1)外壳材料的热膨胀系数匹配热膨胀系数不匹配会使声表面波器件外壳底座和帽或盖板的尺寸与装配关系发生变化，热变形产生的额外应力，将成为...[全文]
- 外引线材料要求2012/5/7 19:37:12 2012/5/7 19:37:12
- 声表面波器件的外引线材料的LM3430SD质量缺陷会引起断腿、锈蚀、可焊性差、突发性脆断及内引线脱落等失效模式。为了控制这些失效模式，对外引线应作如下质量控制：①用X光衍射方法或用电子显微镜对材料...[全文]
- PPM技术2012/5/7 19:31:26 2012/5/7 19:31:26
- PPM技术用于对成批生产产品的平均A1943质量和可靠性进行评份，综合反映产品的设计和制造水平。(1)PPM的基本含义和PPM标准PPM的全称为PartsPerMillion，即用百万分之...[全文]
- 滤波器结构的选择2012/5/6 15:00:09 2012/5/6 15:00:09
- 声表面波滤波器的结构很多，各种结构滤2SK2605波器的工作原理、性能特点等不尽相同，应根据设计指标要求合理选择滤波器的结构。总体来讲，滤波器结构分为横向声表面波滤波器和声表面波谐振型滤波器两类。...[全文]
- 冲片绝缘处理2012/5/5 19:22:25 2012/5/5 19:22:25
- 冲片的绝缘处理是指使冲片表面具有一定PC357N4T的绝缘电阻值的工艺处理方法，它的作用是使冲片叠压成铁心后片间互相绝缘，以减小铁心磁路中的涡流损耗。通常使用涂漆绝缘处理、磷化绝缘处理、氧化绝缘处理...[全文]
- 零部件的质量控制要求2012/5/2 19:32:58 2012/5/2 19:32:58
- 零部件是构成继电器的最基本BTA41-800B的单元。继电器是一种精密的机电元件，零部件的加工质量直接影响到继电器性能的稳定和可靠性。对继电器零部件的质量控制要求包括：①继电器所使用的原材料必须...[全文]
- 可靠性设计程序2012/4/29 22:06:04 2012/4/29 22:06:04
- 可靠性设计程序连接器可靠性设计是连接器研制JW2SN-DC24V过程的中心工作，并与传统研制过程（设计一控制一验证一评审）并行进行。连接器的可靠性设计程序是根据其产品的结构复杂程度、性能要求高低、...[全文]
- 干法腐蚀中的损伤效应及其工艺控制要求2012/4/27 19:49:14 2012/4/27 19:49:14
- 物理干法腐蚀是非选择性的腐蚀，是一种碰撞过程，属定向刻蚀，它包括2SC3425反应离子刻蚀和化学一物理干法腐蚀，它们都是以等离子体为基础的腐蚀方法，对制造微米级精细结构更为关键。反应离子刻蚀会引起器...[全文]
- 热学设计2012/4/26 19:52:21 2012/4/26 19:52:21
- 半导体器件，尤其是功率器件FR107由于热电效应，在使用中易造成器件局部过热而烧毁，为此必须特别重视热学设计，通过热设计可对失效模式实施有效的控制，热设计应包括以下三个内容：①通过版图和结构设计，...[全文]
- 金属半导体场效应管(MESFET)2012/4/26 19:28:42 2012/4/26 19:28:42
- MESFET与JFET的主要区别是用金属STM32F103R6T6A半导体接触形成的肖特基势垒代替PN结作为栅结，形成单向导电的整流接触。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化...[全文]
- 健壮设计2012/4/24 20:01:06 2012/4/24 20:01:06
- 美国国防部文件DODI5000.2“防务系FDS3692统采办的政策与程序”附录中，财健壮设计给出定义如下：“健壮设计是一种设计方法，它使所设计的系统的性能对于制造过程的波动或其工作环境（包括维护、...[全文]
- CMOS中P阱和N阱抗闭锁能力的比较2012/4/23 19:52:32 2012/4/23 19:52:32
- 在目前流行的P阱和N阱CMOS工艺中，N阱CMOS工艺具有PI5C3390QEX更强的抗闭锁能力。由于N阱衬底的多子为电子，而P阱衬底的多子为空穴，体内的电子迁移率比空穴迁移率约高3.2倍(体内的电...[全文]
- 采用重掺杂衬底上外延生长轻掺杂层2012/4/23 19:50:57 2012/4/23 19:50:57
- 采用重掺杂衬底上外延生长轻掺杂层，以减少寄SII3132CNU生电阻，可以有效地提高寄生晶闸管的维持电流和触发电流。对于P阱情况，可提高5倍以上；采用外延衬底，不仅大大降低了衬底电阻值，而且使原来可...[全文]
- 多数载流子的保护环2012/4/23 19:46:59 2012/4/23 19:46:59
- 多数载流子保护环是通过减小多数载流子UT2301G电流产生电压降来达到防止闭锁效应发生作用的。因此，多数载流子保护环是向衬底材料中扩散相同类型杂质构成的。例如，N阱内扩散N+，或在P型衬底上扩散P+...[全文]
- 模拟结果2012/4/23 19:27:57 2012/4/23 19:27:57
- 进行集成电路可靠性模拟的目的是MFI341S2162为了在设计阶段就能对集成电路的可靠性有一个基本的评价，以优化设计，提高集成电路的可靠性。通常用“环形振荡器频率的变化（与未加应力前相比）来作为电路老...[全文]
- 电路级可靠性模拟器2012/4/23 19:24:14 2012/4/23 19:24:14
- 电路级可靠性模HA22006拟器RELY的结构如图2.49所示，并有以下特点：①与SPICE2/SPICE3兼容。②容易对退化模型升级或增加新退化模型。③考虑了静态和动态电路老化效应。...[全文]
- ESD失效分析2012/4/22 17:04:44 2012/4/22 17:04:44
- ESD失效可能是永久性的，也可能是潜在的。永久性的ESD失效UC3842与由于硅中的局部发热引起的材料损坏有关，可能是因为金属互连失效，也可能是由于CMOS栅介质失效。潜在的ESD失效引起电路性能的退...[全文]
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