金属半导体场效应管(MESFET)
发布时间:2012/4/26 19:28:42 访问次数:1094
MESFET与JFET的主要区别是用金属STM32F103R6T6A半导体接触形成的肖特基势垒代替PN结作为栅结，形成单向导电的整流接触。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化合物半导体材料制成。MESFET的基本结构首先是在半绝缘衬底上进行选择性离子注入形成有源层，再在其表面制作源和漏的两个欧姆电极，并在两者之间制作势垒肖特基的栅电极，形成三端结构。栅耗尽层下面的有源层部分称为沟道。在GaAs MESFET中，由于电子比空穴的迁移率大，因而通常用以电子为载流子的N型作为有源层。N型有源层由向半绝缘的GaAs衬底注入Se+获得，注入层厚大约0.1弘m；也可以是薄的N型GaAs外延层。作为高阻抗的衬底GaAs材料，其阻抗高达lOgQ．cm，因而大大减少了寄生电容且工艺简单，加土电子迁移率高这一优点，使得这种器件的传输时间短，反应速度快，广泛应用于微波和超高速领域。
MESFET与JFET的主要区别是用金属STM32F103R6T6A半导体接触形成的肖特基势垒代替PN结作为栅结，形成单向导电的整流接触。它可以用硅材料制造，但更多的是用GaAs或其他Ⅲ-V族混晶化合物半导体材料制成。MESFET的基本结构首先是在半绝缘衬底上进行选择性离子注入形成有源层，再在其表面制作源和漏的两个欧姆电极，并在两者之间制作势垒肖特基的栅电极，形成三端结构。栅耗尽层下面的有源层部分称为沟道。在GaAs MESFET中，由于电子比空穴的迁移率大，因而通常用以电子为载流子的N型作为有源层。N型有源层由向半绝缘的GaAs衬底注入Se+获得，注入层厚大约0.1弘m；也可以是薄的N型GaAs外延层。作为高阻抗的衬底GaAs材料，其阻抗高达lOgQ．cm，因而大大减少了寄生电容且工艺简单，加土电子迁移率高这一优点，使得这种器件的传输时间短，反应速度快，广泛应用于微波和超高速领域。
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