- 0LED功能材料的一般研究方法2019/4/17 21:15:56 2019/4/17 21:15:56
- KA-2734SRSGC0LED功能材料的一般研究方法有机电致发光器件中含有多种功能材料,主要包括如图5.36所示的几种类型。对它们进行研究,以期获得可...[全文]
- OLED器件的工作机制是注人载流子后产生光发射2019/4/17 21:02:25 2019/4/17 21:02:25
- KA-2214ZGS>好坏用器件发光效率来衡量,共有三种表示方法:一是发射光量子数占注人载流子数的百分比,称为量子效率,单位是%;二是输出光功率占输入功率的百分比,称...[全文]
- 利用磷光一荧光组合机制产生WOLED的器件研究获得了极大成功2019/4/17 20:33:48 2019/4/17 20:33:48
- KA-2214SESK近年来,利用磷光一荧光组合机制产生WOLED的器件研究获得了极大成功。如图5,3z⑶所示,来自⒛“年S。R。FoⅡest科研组的Nature报道...[全文]
- 从主体材料三线态到掺杂磷光三线态的主要能量转移过程是Dexter型能量转移2019/4/16 22:25:09 2019/4/16 22:25:09
- HD64F2623FA20V很明显,当主体材料是荧光发射材料时,从主体材料三线态到掺杂磷光三线态的主要能量转移过程是Dexter型能量转移,这就要求较高的掺杂浓度。还...[全文]
- 防止掺杂物种对发光层的发光猝灭2019/4/16 21:40:11 2019/4/16 21:40:11
- HBR10200防止掺杂物种对发光层的发光猝灭掺杂材料有可能从两个角度对发光产生猝灭,一是小尺度掺杂物的扩散,二是高挥发性掺杂物产生的蒸镀污染。一些尺寸...[全文]
- D-A结材料具有双极性质2019/4/15 21:08:41 2019/4/15 21:08:41
- HCPL-2631D-A结材料具有双极性质,也就是说它们既有给体特性又有受体特性,可提供激子在分子内解离的途径。该种材料的光伏器件,由于可以避免本体异质结器件中的相分...[全文]
- 无机纳米半导体材料具有优异光电特性2019/4/15 21:03:59 2019/4/15 21:03:59
- HCPL-2601无机纳米半导体材料具有优异光电特性,如迁移率高、光导性质强、能隙可根据颗粒尺寸调节、材料吸收较强等,通常被应用于有机/无机杂化太阳能电池器件,作为电...[全文]
- 工作寿命试验是指模拟电子产品在规定环境条件下2019/4/13 20:19:53 2019/4/13 20:19:53
- P3S56D40ETP-G5寿命试验是可靠性试验中最重要、最基本的内容之一。它是将样品放在特走的试验条件下，测量其失效（损耗）的数量随时间的分布情况。因为失效是按先后...[全文]
- 芳基二酰亚胺/二酸酐衍生物2019/4/12 21:04:10 2019/4/12 21:04:10
- FA7702P芳基二酰亚胺/二酸酐衍生物迄今为止,以萘或者花为核的二酰亚胺臼TCDIˉR,PTCDI-R)/二酸酐αTCDA,PTCDA)衍生物是研究最...[全文]
- 该类材料是较好的p型半导体材料,广泛应用于场效应晶体管2019/4/12 20:26:47 2019/4/12 20:26:47
- FA7612噻吩齐聚物是另外一类广泛研究的p型有机场效应晶体管活性材料,它们由多个含氧的五元杂环分子组成,如四噻吩、六噻吩、/`噻吩等。这些分子具有电子给体特征;且H...[全文]
- p型有机半导体材料2019/4/11 20:58:59 2019/4/11 20:58:59
- HD74HC32RPp型有机半导体材料在p型场效应晶体管中,通过栅极加载负电场使半导体的HoMo和LUMo能级向上弯曲(移动...[全文]
- 接触电阻将不再影响载流子的浓度2019/4/11 20:48:54 2019/4/11 20:48:54
- HD6417327BPZ120V在饱和范围内,由于沟道内载流子浓度与漏电压无关,接触电阻将不再影响载流子的浓度,因此如果忽略接触电阻的长度d,则饱和区域的电流公式与不...[全文]
- 结合场效应晶体管器件的输出特性和转移特性曲线2019/4/11 20:38:19 2019/4/11 20:38:19
- HCF4094小(如60mV/decade),rD~/G曲线将越陡,表明器件性能较好。而较大的亚阈值漂移通常意味着器件中存在上述某些问题,器件的开启区域将会漂移。将s...[全文]
- 阈值电压、亚阈值漂移、电流开关比2019/4/11 20:35:48 2019/4/11 20:35:48
- HA4600CHZ96阈值电压、亚阈值漂移、电流开关比(thresho1dVoltage,subthresholdsⅡg,onˉoffcurreⅡtra...[全文]
- 场效应晶体管是电子工业中最重要的控件2019/4/10 21:08:14 2019/4/10 21:08:14
- B02B-XASK-1第一代可应用的场效应晶体管是基于单晶硅的金属-氧化物-半导体场效应晶体管,称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxideˉsemi...[全文]
- Dsc法测量材料在惰性氛围里不同温度下的吸热或者放热过程2019/4/10 20:25:23 2019/4/10 20:25:23
- A1FW-3A以失去5%重量为标志,该温度越高,通常表明材料的热越稳定性越好。如果没有升华现象,5%失重温度也通常被视为材料的热分解温度(rd)。Dsc法测量材料在惰...[全文]
- 电子或空穴在分立的能级之间发生非相干跳跃2019/4/9 21:55:27 2019/4/9 21:55:27
- LM2903DMR2G该模式描述的是高度定域的、从一点到另一点的跃进式运动。其特征是电子或空穴在分立的能级之间发生非相干跳跃,且在每一点上都会受到散射。这种模式中,载...[全文]
- 有机材料电学性质研究历史2019/4/8 21:02:10 2019/4/8 21:02:10
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- IRFU430APBFBTG晶闸管的质量判别:用万用表R×1k挡,黑表笔接A极,红表笔接K极,测量BTG晶闸管各极之间的正、反向电阻值,在正常时A,K极之间的正、反向...[全文]
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