B02B-XASK-1

   第一代可应用的场效应晶体管是基于单晶硅的金属-氧化物-半导体场效应晶体管,称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(metal-oxideˉsemi∞nductorⅡeld effect transistor,MOSFET)。D.Kahng和M。M.Atalla(Bell实验室)于19⑾年制造出第一个MOsFET卩l。MOsFET在现代记忆元件、集成电路以及计算机中的微处理器中都有重要的应用。例如,MOsFET可用于数字电路与逻辑电路中的加法器、转移器、换流器、算法逻辑单元以及用于构造序列逻辑线路等。将传输电子的MOSFET(NMO9与传输空穴的MOsFETOMo助结合起来制作在同一块晶片上,就构成了互补型金属氧化物半导体

场效应晶体管(∞mp℃mentary metal-oxidesemiconducto△CMo9,它是各类逻辑电路的基本单元。CMOS器件在电子产品中的应用,使电路中元器件的尺寸变小、稳健性提高,功耗降低、噪音减小。目前,场效应晶体管是电子工业中最重要的控件,每年大约需要1019个。其中,大约99%都是基于单晶硅片的MOSFET。虽然单晶硅是在FET等微电子产品中应用最广泛的材料,但是单晶硅片比较昂贵、非常易碎,同时不适合大面积应用。因此,人们逐渐尝试用氢化非晶硅(a~si∶H)和多晶硅OˉsO薄膜来代替单晶硅。

这些薄膜场效应晶体管的研究始于20世纪的六七十年代l。刨,目前非晶硅场效应晶体管已经被广泛地应用于主动式的液晶显示(active matrix Ⅱquidcrystal dsplay,AM-LCD)中。