HCPL-2601

   无机纳米半导体材料具有优异光电特性,如迁移率高、光导性质强、能隙可根据颗粒尺寸调节、材料吸收较强等,通常被应用于有机/无机杂化太阳能电池器件,作为电子受体无机纳米颗粒在足够小尺寸时,表现出量子特性。但是,尺寸较小的无机纳米材料,由于表面张力很高而不够稳定,倾向于通过“ostwald ripening”过程而变为较大的粒子。因此,无机纳米粒子的表面通常以有机配体作为屏蔽。这些配体一方面防止氧化和聚集,另一方面可以改变粒子在有机溶剂中的溶解性。但是,它们阻碍电荷由纳米粒子到纳米粒子的输运。

    将纳米颗粒Cdse与聚合物P3HT共混形成的本体异质结电池,通过纳米粒子尺寸的调节,弥补了聚合物P3HT在650nm之后的长波范围内对太阳光吸收的不足,使AM1,5光照下的‰达到了1,7%,为5,7mA/cm。研究发现利用CdSe与共聚物制各的纳米复合体系分散性好且存在光诱导电荷分离现象[14到,被认为在有机/无机杂化太阳能电池中有一定的潜力。⒛OT年Da…ish等报道的基于有机小分子TCVA(分子结构见图4,28)和硅半导体的双层异质结器件(AWTCVA/pˉSi/Al),在没有任何修饰及掺杂的情况下,可得到很好的性能。他们认为在光照下,TCVA产生激子,同时硅产生电子空穴对。光电流的产生是有机物中激子的解离以及硅中电子空穴对分离的共同结果,因此光照下可产生大量的光生载流子。另据报道,溴掺杂的并五苯单晶与无机半导体ZnO组成的‰可高达4,5%。