FA7612

   噻吩齐聚物是另外一类广泛研究的p型有机场效应晶体管活性材料,它们由多个含氧的五元杂环分子组成,如四噻吩、六噻吩、/`噻吩等。这些分子具有电子给体特征;且HOMo能级通常与惰性金属电极的功函数匹配,可以注人空穴。因此,该类材料是较好的p型半导体材料,广泛应用于场效应晶体管。

   研究显示,性能较好的噻吩齐聚物,场效应迁移率通常在0。001~0.3cm2/(V・θ,例如sO°C下真空蒸镀的单晶DHα4飞α,w-dihexylquarte曲iophene)场效应迁移率为0。”cm2/(V・θssl,12O°C以上真空蒸镀形成的多晶八噻吩(octi伍iophene)薄膜的场效应迁移率为0,33cmz/(V・s卢刀。但是这类材料由于较高的HoMO能

级而比较容易在空气中被氧化(氧掺杂),导致器件的不稳定性。

    通常来讲,噻吩齐聚物为线性分子,当分子是刚性的棒状结构时,六个噻吩环的共轭性最好,有利于稳定外来的空穴正电荷,使材料显示出较好的空穴接受能力。另外,紧密且有序的分子堆积,可以增加分子之间冗共轭体系的相互作用,提供电荷输运通道,这是该类分子产生高迁移率场效应晶体管的必各条件。当应用于场效应晶体管时,与线性稠环芳香烃类似,噻吩齐聚物分子以“站立”方式排列时d日图3,乃所示),器件中电流方向垂直于分子直线,载流子输运方向与分子之间的颀堆积方向一致,因而容易获得较高的场效应迁移率。