实现半导体材料外延的技术主要包括:气相外H9DA4VH4JJAMCR-4EM延(VPE,Ⅵpor Phase Epitaxy),液相 外延(LPE,ⅡqLlid Phase Epitaxy),固相外延(sPE,So旧Phasc EpitⅨy)和分子束外延(MBE,Mo1ccular Beam Epitaxy)。根据前驱物的不同,气相外延又被分为氢化物气相外延(HVPE,Hydridc VapOr Phasc Epitaxy)和金属有机化学气相沉积(MOCVD,Mctal organic Chcmical昵por Dcposition)。在LED外延片的制造中,液相外延用于部分GaAs基红光LED外延片,其典型特征是成本较低;氢化物气相外延用于少数G瘀基材料外延;而金属有机化学气相沉积技术是LED外延片生长的主流技术,被广泛地用于制备GaAs基红光LED外延片,A1GaInP红黄光LED外延片及GaN基蓝绿光LED外延片。