- 双极型集成电路工艺 2017/5/30 12:26:59 2017/5/30 12:26:59
- 双极型集成电路(BlpohrInt呓ratedGrcuit)是以lllDn或pnp型双极型晶体管为基础的集成电路。它是最早出现的集成电路,具有驱动能力强、PAM3101DAB300模拟精度高等优...[全文]
- 约束刻蚀剂层技术2017/5/29 16:59:00 2017/5/29 16:59:00
- ⒛世纪8O年代中期以后发展起来的LIGA加工、微细电火花加工(EDM)、超声波IC-PST600CMT-R加工等微细加工方法只能加工简单的二维图形,对于复杂二维图形的加I需要研究新的加工方法。针...[全文]
- 通过采用高辉度电子枪和高精度2017/5/25 21:35:12 2017/5/25 21:35:12
- 生产激光图形发生器的Micronic于~9005年推出了⒊gma75o0,它与传统的激光图形发生器有所不同。Sigma7500采用Micro血c独家的⒊'M(SpauduglltModulato...[全文]
- 对准检查2017/5/24 21:57:19 2017/5/24 21:57:19
- 在芯片制造的整个工艺过程中,有多层图形的叠加,每一层图形都要进行一次光刻,图形与HAT3006RJ-EL-E图形之间都有相对位置关系,这也是由设计规则中的套准允许精度来决定的。有了这些图形间的相...[全文]
- 保形覆盖特性的改善2017/5/23 21:04:05 2017/5/23 21:04:05
- 尽管相对于真空蒸镀而言溅射薄膜的保形覆盖特性有所提高,但在制备超大规模集成电路的高密度互连系统中的金属、合金及化合物薄膜时,PIC18F8621其台阶覆盖特性依旧是主要问题。溅射薄...[全文]
- 该设备特性与技术指标如下2017/5/22 20:12:40 2017/5/22 20:12:40
- 该设备特性与技术指标如下:①采用机械泵/分子泵组成的真空系统,真空室基压可达3×101Pa。L79L12ACDR②溅射电源共有两种:射频电源1500W,频率13.56...[全文]
- 蒸镀设备2017/5/21 18:07:15 2017/5/21 18:07:15
- 真空蒸镀设备有多种类型,不同工艺方法采用的设各也有所不同。而且,ON4986随着工艺技术的发展,蒸镀设备的发展也非常迅速。尽管如此,所有蒸镀设备都由以下4部分组成:真空室、真空系统、监测系统及控...[全文]
- PECVD-sio22017/5/19 21:47:01 2017/5/19 21:47:01
- 以PECVD方法制备氧化层,是利用K4B1G1646G-BCMA等离子体对化学反应的增强作用来促进薄膜在低温的淀积,因此,PECVD(九是低温工艺。使用的反应剂以硅源来划分有sH1系列和TEfB...[全文]
- 而反应剂气相扩散系数和反应室工作气压成反比2017/5/18 21:50:40 2017/5/18 21:50:40
- 在水平式LPCVD的批量化生产中,由于衬底是密集摆放的,两衬底硅片之间间距一般只有5mm右,OPA1662AIDGKR气流中的反应剂是通过硅片和反应室之间的环形空间再扩散到硅片之间的狭窄空隙中的,只有...[全文]
- 求下列条件下的固溶度与扩散系数2017/5/18 20:58:56 2017/5/18 20:58:56
- 求下列条件下的固溶度与扩散系数:①B在1050℃;②P在950℃。在硅衬底上975℃,30min预淀积磷,当衬底为O.3Ω・cm的lD⒏时:...[全文]
- 投射式气体浸入激光掺杂2017/5/17 21:48:21 2017/5/17 21:48:21
- 投射式气体浸入激光掺杂(PGILD)是一种变革性的掺杂技术,它可以得到其他方法难以获得的突变掺杂分布、超浅结深度和相当低的串联电阻。RT8208BGQW通过在一个系统中相继完成掺杂、退火和形成...[全文]
- 调整MOs晶体管的阈值电压2017/5/17 21:31:03 2017/5/17 21:31:03
- 对MOS管来说,阈值电压(VT)可定义为使硅表面处在强反型状态下所必需的栅压。栅电极RF7307TR13可控范围是它下面极薄的沟道区,注人杂质可看做全包含在耗尽层内。在芯片制造中,n沟道耗尽型M...[全文]
- 退火方式及快速热处理技术2017/5/16 21:36:24 2017/5/16 21:36:24
- 热退火是将被离子注入的硅片整个加热到某一温度并停留一段时间以消除晶格损伤和使杂质电激活的过程。M81C55A-5热退火消除晶格损伤是由离子注人形成的稳定缺陷群,在热处理时分解成点缺陷等结构简单的...[全文]
- 硼的退火特性2017/5/16 21:23:49 2017/5/16 21:23:49
- 对较轻离子和较重离子(女口P+)的注人层退火有着不同的等时退火特性(不同退火温度下采用相同退火时间进行退火行为的比较)。M74HC125RM13TR如图625所示为硼的等时退火特性,它表示硼离子...[全文]
- 硼的退火特性2017/5/16 21:23:39 2017/5/16 21:23:39
- 对较轻离子和较重离子(女口P+)的注人层退火有着不同的等时退火特性(不同退火温度下采用相同退火时间进行退火行为的比较)。M74HC125RM13TR如图625所示为硼的等时退火特性,它表示硼离子...[全文]
- 与注入离子剂量率之间的关系2017/5/16 21:18:14 2017/5/16 21:18:14
- 与注入离子剂量率之间的关系剂量率是指单位时间,通过单位面积注人的离子数。注人剂量一定时,M65831AP剂量率越大,注入时间就越短。一般来说,随着剂量率的增加,形成非晶层所需要的临...[全文]
- 电子碰撞2017/5/15 21:25:19 2017/5/15 21:25:19
- 电子碰撞指的是注入离子与靶内自由电子及束缚电子之间的碰撞。注入离子PA905C6R和靶原子周围电子云通过库仑作用,使离子和电子碰撞失去能量,而束缚电子被激发或电离,自由电子发生移动,这种...[全文]
- 扩散工艺条件与方法 2017/5/14 17:56:10 2017/5/14 17:56:10
- 扩散层质量参数与扩散条件密切相关。扩散条件选择合适,才可能获得质量合乎要求的扩散层,为生产出质量较高的芯片提供条件。R1224N102G-TR-FA扩散条件包括扩散方法、扩散杂质源、扩散温度和时...[全文]
- 检测、分析外延层缺陷及其产生原因非常重要2017/5/10 22:36:54 2017/5/10 22:36:54
- 检测、分析外延层缺陷及其产生原因非常重要,除了是对外延片规格的判定依据外,也是提MAX202CEP高外延生长质量、改进工艺的前提。生长好的外延片,首先直接观察表面情况,进行显微系统...[全文]
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