尽管相对于真空蒸镀而言溅射薄膜的保形覆盖特性有所提高,但在制备超大规模集成电路的高密度互连系统中的金属、合金及化合物薄膜时, PIC18F8621其台阶覆盖特性依旧是主要问题。

   溅射薄膜在光刻窗口处的淀积情况是最能显示其保形覆盖特性的。如图⒏27所示是常温下的磁控溅射薄膜台阶覆盖随时间增加而变化的剖视图。磁控溅射衬底吸附原子有较高的扩散迁移率,但在台阶的上缘由于到达角大(270°),淀积膜较厚,趋向于形成突起;而接触孔底角由于到达角小(90°),且又存在遮蔽效应,淀积膜较薄,趋向于形成凹陷。

   日前,改善溅射薄膜的保形覆盖特性的方法主要有:充分升高衬底温度,在衬底上加射频偏压,采用强迫填充技术,采用准直溅射技术。

   为改善溅射薄膜的保形覆盖特性,可以采取加热衬底,升高衬底温度的方法,以增强衬底所吸附溅射原子的表面扩散迁移率。但同时也要考虑衬底温度升高,金属多晶态薄膜的晶粒尺寸也随之长大,使薄膜表面变得粗糙。而且衬底温度升高也会带来薄膜与衬底、薄膜与薄膜之间的互扩散增强现象。另外,溅射淀积薄膜时,靶的辐照加热和高能工次电子轰击产生的大量热都会使衬底温度升高。因此,必须综合考虑各方面因素后再确定衬底的温度,并对其进行有效控制。