- GsT CMP的应用2017/11/11 18:45:21 2017/11/11 18:45:21
- GsT(Ge2Sb2Te,)是一种硫系化合物相变薄膜材料,用于QMI509(相变存储器)中的存储介质。PCRAM则是以硫系化合物为存储介质,利用电能(热量)使相变薄膜材料在晶态(低阻)和非晶态(...[全文]
- 利用PSpice提供的直流工作点分析2017/11/9 12:09:55 2017/11/9 12:09:55
- 利用PSpice提供的直流工作点分析(BiasPoint)工具得到放大电路的静态工作点，注H11AA1SR2M意勾选“Includedetailedbiaspointinformationfor...[全文]
- 电力传输用电缆的断面2017/11/8 12:24:46 2017/11/8 12:24:46
- 电力传输用电缆的断面图，它是由能很好传流的铜线与在其周围起绝缘作用的橡胶及绝缘纸组成的。能很好导电的金属等材料称为导体，电流几乎不能通过的物质称为非导体（或绝缘体）。AD1674J...[全文]
- 两表笔不分正负分别接扬声器的两引出端2017/11/8 12:19:22 2017/11/8 12:19:22
- 将万用表置R×1挡，两表笔ACT4060A不分正负分别接扬声器的两引出端，所测得的是扬声器音圈的直流电阻，此值应小于扬声器的标称阻抗值（约为标称阻抗值的0.8倍）。若数值过小，说明音圈有局部短路...[全文]
- 临时poly_si去除2017/11/7 21:58:23 2017/11/7 21:58:23
- 对于后栅极集成方案,基于传统做法,首先制作临时多晶硅,接着通过化学机械抛光(CMP)打开栅基,W171D1P-25去除多晶硅和沉积新的栅叠层材料,如图9.18所示.后栅集成的主要挑战之一是去除临...[全文]
- 颗粒化学去除2017/11/5 17:35:39 2017/11/5 17:35:39
- 化学协助去除颗粒在很多湿法清洗中得到应用。如标准清洗液l(sC1:氨水+双氧水),TDA8541T溶液中双氧水可直接氧化溶解较有机物膜或颗粒,而对于硅表面清洗,SC1使硅表面生成薄层氧化硅,又可...[全文]
- 1C制造过程中的污染源 2017/11/5 17:22:17 2017/11/5 17:22:17
- 晶片有三种污染类型:颗粒污染、薄膜污染、痕量分子或原子污染Lll。颗粒是晶片L出现的任何异常小的材料块,且与正常图案相比,有容易识别的形貌。TA7607AP当IC制造的特性尺寸缩减,对引起缺陷的...[全文]
- 刻蚀晶边2017/11/5 17:11:31 2017/11/5 17:11:31
- 晶边刻蚀是指采用千法刻蚀去除晶圆边缘处所不需要的薄膜,它首先出现于2007年初,LAM公司出产的2300C()RONUS是关键的晶边刻蚀机之一。PIC16F688-I/SL由于在65nm及以下I...[全文]
- 铝垫刻蚀通常是在LAM2300Versys Metal的腔室内进行的2017/11/4 12:00:42 2017/11/4 12:00:42
- 铝垫刻蚀通常是在LAM2300VersysMetal的腔室内进行的。标准的铝刻蚀气体有BC13和被选择的聚合物气体CH1。铝垫刻蚀由两步组成:主刻蚀(ME)和过刻蚀(OE)。M01044主刻蚀步...[全文]
- 多道离子注人工艺采用了不同的侧墙结构以调整晶体管的源漏结2017/11/4 11:29:33 2017/11/4 11:29:33
- 多道离子注人工艺采用了不同的侧墙结构以调整晶体管的源漏结.使其具有最大的驱动电流,同时保MJD20/MLE20持低的晶体管寄生电容。偏移间隔通常是由氮化硅或者氧化物组成的。ON模式,或者O-N...[全文]
- MM440系列变频器的各种附属的选件如下2017/11/3 22:39:25 2017/11/3 22:39:25
- 西门子公司为用户提供了MM440变频器各种独立的选件和各种附属的选件。MM440变频器的各种独立的选件包括：BOP、AOP、PROFIBUS模块、连接PC和变频器的组合件、连接PC和AOP的组合...[全文]
- 设置参数P19102017/11/3 22:35:53 2017/11/3 22:35:53
- 设置参数P1910，选择电GLFR1608T150M-LR动机数据的自动检测方式。当P1910=0时，禁止自动检测；当P1910=1时，所有参数都带参数修改的自动检测；当P1910=2时，所有参...[全文]
- MM440是用于控制三相交流电动机速度的变频器2017/11/3 22:20:52 2017/11/3 22:20:52
- MM440是用于控制三相交流电动机速度的变频器，有多种型号供用户选用，GLF1608T220M恒定转矩控制方式时的额定功率范围为120W~200kW，可变转矩控制方式时的额定功率可达250kW。...[全文]
- 多点接地的电路结构比单点接地简单2017/10/28 10:33:02 2017/10/28 10:33:02
- 有时在一个系统中,特别是高频电路中,可将各个接地点都直接接到距离它最近的接地平面上,R0D8/26-3C60使接地线的长度为最短,即多点接地。多点接地的接地点可以任意,它可以是设备的底板,也可以...[全文]
- 电源电压使用范围2017/10/27 21:38:28 2017/10/27 21:38:28
- （1)接插集成电路时,要认清定位标记,不得插反。(2)电源电压使用范围为4.5~5.5V,实验中要求V(℃=+5V,电源极性不允许接错。Z8FMC08100AKSG(...[全文]
- 改善光学邻近效应修正的精确度和可靠性2017/10/26 21:16:48 2017/10/26 21:16:48
- 改善光学邻近效应修正的精确度和可靠性。光学邻近效应修正的基本流程是:在建立模型时,先将一些校准图形,如图7.32所示设计在测试掩膜版上。S912B32E4VFUE8再通过使用硅片曝光的方式得到在...[全文]
- 曝光后烘焙2017/10/25 21:15:34 2017/10/25 21:15:34
- 曝光完成后,光刻胶需要经过又一次烘焙。因为这次烘焙在曝光后,叫做“曝光后烘焙”,TA31086F简称后烘(PostExposureBake,PEB)。后烘的目的在于通过加热的方式,使光化学反应得...[全文]
- 最先进的商业化浸没式光刻机2017/10/25 20:59:45 2017/10/25 20:59:45
- 除了缩小曝光波长外,增强分辨率的另一条途径是扩大投影/扫描装置的数值孔径(NumericalAperture,NA)。P115A其中,″表示在像空间的折射率,ε表示物镜在像空间的最...[全文]
- RF2的作用是产生负的偏压2017/10/23 20:41:43 2017/10/23 20:41:43
- Arpreˉde【an的作用是通过离子轰击去除基体表面的氧化物。Arpr←cleancllamber主要由高频(RF2)、低频电源(RF1)和一个石英罩构成,其结构如图6.17所示。RF1作用是...[全文]
公网安备44030402000607
