对于后栅极集成方案,基于传统做法,首先制作临时多晶硅,接着通过化学机械抛光(CMP)打开栅基,W171D1P-25去除多晶硅和沉积新的栅叠层材料,如图9.18所示.后栅集成的主要挑战之一是去除临时多晶硅,同时不伤及可能暴露的材料。去除临时多晶硅,工业界已有不同的方法:①全干刻蚀附加湿法清洗;②部分干刻蚀附加湿法刻蚀和清洗;③全湿法刻蚀和清洗。一个像②和③的湿法刻蚀通常优选使用,因为它对暴露的材料有较少的伤害。

   Fabricatc poly-s⒘sioN CMOs  Rcmovc po1yˉ si/SiON  Depos"high-k and metal gate

   and CMP to cxpose gatc

   很多高pH值的溶液已知可作为⒏的刻蚀剂,如无机水溶性的K()H、NaOH、CsOH、NH10H以及有机水溶性的乙二胺、choline和四甲基氢氧化铵(TMAH)。稀释的氨水和TMAH已普遍作为Sl刻蚀剂,是因为它们对CMOS制程的兼容性、易于处理和低的毒性。

对TMAH讲,大约5%的浓度就可达到很高的⒏刻蚀率。之后,随着TMAH浓度升高,Si刻蚀率降低。如图9.19所示[44]。另外,当TMAH溶液有⒏时,Si膜刻蚀率也会降低,原因是OH-在硅污染的溶液中的迁移率降低。再者,有离子植人硅相对于没有离子植人硅在碱性溶液中有不同刻蚀率。