热不稳定性可能导致金属材料与高虍介质间的相互扩散或化学反应,引发等效氧化物厚度(EC)T)增加、阈值电压变化、漏电流增大等效应,使器件电学性能严重衰退。 TC74HC4066AF因此栅极 金属必须具有高的热稳定性以避免金属沉积和退火过程中产生的氧空位及过度氧化导致的有效功函数偏移。尤其对于先栅极工艺中,栅极金属与高泛材料必须经历传统CMOS工艺中激活掺杂杂质采用的1000℃左右高温热处理I艺,在高温退火条件下,获得合适的有效功函数极具挑战性。

   较低的界面态密度

   金属栅与高虑介质之间,高乃介质与Si02之间存在着一定的界面态。较高的界面态密度会产生大量的界面固定电荷和陷阱电荷,造成器件性能及可靠性的降低,因此需要较低的面态密度。金属栅极取代多晶硅在满足功函数和热稳定性要求的同时,不应对器件载流子迁移率、栅漏电流等电学性能和整体可靠性造成影响。