- 辐射发射测试频谱2017/6/15 19:53:03 2017/6/15 19:53:03
- ●经验数据:对于直径2mm以下的导线,其寄生电容和电感分别是:1p英寸和1nH/毫米(对不起没有统一单位,但这更容易记忆)。案例18:接地线接出来的辐射M058LAN...[全文]
- 控制环路面积是降低辐射的必要手段2017/6/14 22:40:22 2017/6/14 22:40:22
- 【处理措施】根据以上分析结果,要解决此问题,只要将MAX726ECK地线与电源线从散热孔中间布线(如图3.7中虚线所示),使电源线的环路面积与原来相比使电源线的环路面积大大减小,经...[全文]
- 连接器中信号之间的串扰和互连地2017/6/14 21:59:21 2017/6/14 21:59:21
- 在已经决定采用互连的产品系统中,互连连MTV32N20E接器中信号之间的串扰和互连地(“0Ⅴ”)阻抗,将是EMC设计的重点。(1)如果地针较少,那么信号的RF回路较大,产生较大的差...[全文]
- 地平面出现槽的实例2017/6/9 19:27:22 2017/6/9 19:27:22
- 如果将10Hz时的阻抗近似认为是直流电阻,可以看出当频率达到10MHz时,对于1m长导线,它的阻抗是直流电阻的1000倍至10万倍。因此对于射频电流,E13005F1当电流流过地线时,电压降是很...[全文]
- 内部为金属网状的屏蔽体2017/6/8 20:50:47 2017/6/8 20:50:47
- 机壳最外面为塑料材质,内部为金属网状的屏蔽体(如图2.31所示),屏蔽体中有直径为5mm的散热孔,N0512NQ-ZP与机壳一体的塑料螺柱穿过屏蔽壳,金属螺柱固定在塑料螺柱中,并伸出屏蔽壳外,以...[全文]
- 干扰电压的大小不但与共模瞬态干扰的电流大小有关2017/6/6 21:06:06 2017/6/6 21:06:06
- 共模干扰电流流过地阻抗zllv日寸,zOⅤ的两端就会产生压降σcM≈zOvfc对。该压降对于集成电路IC2来说相当于在ICI传递给它的电压信号σs上又叠加了一个干扰信号σcM,这样IC2实际上接...[全文]
- 天线辐射的方向2017/6/6 19:56:36 2017/6/6 19:56:36
- 从一个天线上辐射出的功率图,不会在所有方向上都是均匀的。天线的增益用在给定方向上的辐射功率与在所有方向上均匀的辐射情况下的功率密度(分布在一个球体的表面)的比值来表征。对于一个偶极子天线,L01...[全文]
- 通过滤波与抑制提高产品EMC性能2017/6/5 19:36:52 2017/6/5 19:36:52
- 通过滤波与抑制提高产品EMC性能:对于任何设备而言,滤波与抑制都是解决电磁干扰的关键技术之一。因为设各中的导线是效率很高的接收和辐射天线,C0402X7R562K500NY因此,设各产生的大部分...[全文]
- 产品的结构构架、屏蔽、接地与EMC2017/6/5 19:35:34 2017/6/5 19:35:34
- 产品的结构构架、屏蔽、接地与EMC:对于大部分设备而言,屏蔽都是必要的。特别是随着电路I作的频率日益提高,单纯依靠线路板设计往往不能满足EMC标准的要求。C0402X7R123K5...[全文]
- 三氧2017/6/4 18:33:13 2017/6/4 18:33:13
- (1)炉温为975℃恒温,将磷主扩散后的硅片(正片)推入恒温区氧化。时问为5min干氧→25min湿氧910min干氧。(2)三氧时间一到,将石英FGA40N65SMD舟匀速缓慢地...[全文]
- 硼扩散为什么采用两步扩散工艺2017/6/4 18:18:13 2017/6/4 18:18:13
- (1)硼扩散为什么采用两步扩散工艺,且以预淀积温度低、再分布温度高的方式进行?(2)当漂硼硅玻璃至硅片背面不挂水时,基区光刻窗FFP30S60STU口是何种状态?(3...[全文]
- 测量仪器2017/6/3 22:36:32 2017/6/3 22:36:32
- 测量仪器可采用“SZ82型四探针测试仪”,硅片厚度测量用“千分表”。SZ82型四探针测试仪原理方框图如图肛3所示。仪器电源经DGDC变换器,由恒流源TA4017FT电路产生一个高稳...[全文]
- 特殊信号处理与技术2017/6/2 22:16:58 2017/6/2 22:16:58
- 传统的模拟电路测试方法很难得到精确、重复的输人信号和输出响应,对电路的输人端也很难做到完全同步。同时,靠机械动作切换的测童仪器,VES100M1E0405-TR0响应速率也难以达到输出测量的要求...[全文]
- 模拟电路及数摸混合电路测试2017/6/2 22:12:24 2017/6/2 22:12:24
- 模拟电路测试纯模拟电路通常规模比较小,在电路元件比较多时可能达到M⒏/′LSI。与数字VEJ470M1VTR-0605电路测试不同,模拟电路测试的难点不是数据量大,而是电路的复杂性...[全文]
- 外延层检测 2017/5/31 21:57:58 2017/5/31 21:57:58
- 1厚度测量磨角法和滚槽法同前。层错法MAX8695ELR+T起源于衬底表面的外延层错的边长与外延层厚度的关系,如果测出层错的边长,即可计算出外延层厚度。红外干涉法是利用红外光在低阻...[全文]
- 隔离区的形成2017/5/30 12:38:26 2017/5/30 12:38:26
- 再生长一层二氧化硅,随后进行第二次光刻,刻出隔离区,并刻蚀掉隔离区的氧化层。随后预P0804BK淀积硼,并退火使杂质推进到所需的深度,形成p型隔离区。这样便在硅衬底上形成了许多由反偏pn结隔离开...[全文]
- 后光刻形成氧化物侧墙2017/5/30 12:16:18 2017/5/30 12:16:18
- 后光刻形成氧化物侧墙,进行源、漏区注人以形成pll结。②P`①制各50~100nm的Tl薄膜。③在氮气氛中500~600℃的温度下退火,金属Tl与硅或多晶硅接触的地方发生反应形成金属硅化物△轧,...[全文]
- 磁场强化活性离子刻蚀机(MERIE)2017/5/29 16:45:59 2017/5/29 16:45:59
- MERIE是在传统的RIE中加上永久磁铁或线圈,产生与晶片平行的磁场,此磁场与电场垂直。ICE2A765P2电子在该磁场作用下将以螺旋方式运动,如此一来,可避免电子与腔壁发生碰撞,同时增加电子与...[全文]
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