最早,刻蚀技术是利用特定溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除被刻蚀部分而达到刻蚀的目的,这种刻蚀方式也就是所谓的湿法刻蚀技术。OB2211CPA湿法刻蚀的优点是I艺、设备简单.而且成本低、产能高,具有良好的刻蚀选择比c但是,因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除的,而化学反应本身并不具有方向性,所以湿法刻蚀属于各向同性的刻蚀。各向同性刻蚀是湿法刻蚀的固有特点,也可以说是湿法刻蚀的缺点。湿法刻蚀通常还会使位于光刻胶边缘下面的薄膜材料也被刻蚀,这也会使刻蚀后的线条宽度难以控制。选择合适的刻蚀速率,可以减小对光刻胶边缘下面薄膜的刻蚀。

   湿法刻蚀大概可分为3个步骤:①反应物质扩散到被刻蚀薄膜的表面;②反应物与被刻蚀薄膜反应;③反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中,并随溶液排出c在这3个步骤中,一般进行最慢的是反应物与被刻蚀薄膜反应的步骤,也就是说,该步骤的进行速率即是刻蚀速率。

   湿法刻蚀的进行,通常先利用氧化剂(如s和ˉkl刻蚀时的HN03)将被刻蚀材料氧化成氧化物(如Si():和Λ圮03),再利用另一种溶剂(如s刻蚀中的HF和Al刻蚀中的H3PC)1)将形成的氧化层溶解并随溶液排出。如此便可达到刻蚀的效果。

   虽然湿法刻蚀已大部分被干法刻蚀所取代,但它在漂去氧化硅、去除残留物、表层剥离以及大尺寸图形刻蚀应用方面仍然起着重要的作用。湿法清洗实际上也可以看做是一个湿法刻蚀过程,如在接触孔制作中,用于去除反应离子刻蚀带来的残留物和损伤的硅层。有关残留物的去除是使用顺流微波去胶机,然后用湿法刻蚀作为一种清洗方式来去除残留物和损伤的硅层。与干法刻蚀相比,湿法刻蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比,对器件不会带来等离子体损伤,并且设各简单。