- 稳定工作用的电容器2012/5/16 19:48:54 2012/5/16 19:48:54
- C2是减少输出端与Tr3之间EN29LV040A-70JCP的交流阻抗（将VRi交流地短路）、稳定地加负反馈而使用的电容器。C2的值如果在几微发以上，则不管多大都可以。不过，过大也是浪费的。在这里...[全文]
- 电路的结构2012/5/16 19:38:19 2012/5/16 19:38:19
- 按这个规格设计的直流电源DS90CF364AMTDX电路表示在图10.5中。照片10.2是图10.5电路实际制作后的结果。由于该电路的负载电流最大到500mA，所以将射极跟随器部分进行达...[全文]
- 使用PNP晶体管的渥尔曼电路2012/5/14 21:14:29 2012/5/14 21:14:29
- 图8.19是使用PNP晶体管的渥尔曼电路。如TL852CDR在共发射极电路部分使用PNP晶体管，则在共发射极电路的集电极侧连接的其基极电路也必须使用这种PNP晶体管。显然，即使使用PNP晶体管，由...[全文]
- 放大倍数与频率特性2012/5/13 17:57:12 2012/5/13 17:57:12
- 电压放大倍数及相位FM25V05-GTR与频率(lkHz～lOMHz)关系的曲线图表示在图6.4中。电路准确的放大倍数为13.25dB(4.95倍)，比由武(6.4)求得的数值14.15dB约...[全文]
- 共发射极放大电路的工作点2012/5/11 19:58:03 2012/5/11 19:58:03
- 将共发射极放大电路的集电极电流设FM18W08-SG定在很大值上，比供给下级的射极跟随器基极电流还要大得多。当负载为8Q、输出功率为0.5W时，输出电压VO为2Vrms（设波形为正弦波）。其峰值...[全文]
- 使用正负电源的电路2012/5/9 20:07:34 2012/5/9 20:07:34
- 图2.28是使用了正负电源的有点TDA7379浪费的电路。因为用了正负电源，即使晶体管的基极偏置在OV，发射极电阻上也能加上电压，所以这个电路的基极偏置电路是仅用一个iokfl电阻的非常有特征的电...[全文]
- 输出阻抗2012/5/9 19:41:16 2012/5/9 19:41:16
- 图2.15表示测量输出阻抗的方法。它是在输DM115B出端接上负载电阻R。来测量输出振幅RL，然后与无负载(RL≈oo)时的输出振幅做比较来求输出阻抗的方法。这是因为，VO为无负载时的输出振幅用Z...[全文]
- 输入阻抗2012/5/9 19:36:21 2012/5/9 19:36:21
- 图2.14表示测量输入阻抗Zi的方法。它是在信XR21V1414IM48-F号源上连接串联电阻Rs、由串联电阻两端的振幅剐。与vi之差来求输入阻抗的方法。该测量的考虑方法认为，加在电路上的输入电压...[全文]
- 确定Rc与RE的方法2012/5/9 19:20:58 2012/5/9 19:20:58
- 如式(2.9)所示，电路的放大倍OPA2244UA数是由R。与RE之比来决定的，所以令A-5，取Rc:RE=5：1。为了吸收基极一发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，R...[全文]
- 2SC2458的特性2012/5/9 19:14:34 2012/5/9 19:14:34
- 确切地讲，在追求最终性能（噪声大小和高频特性等）的情况下，晶体管的TDA7240A特性左右着电路的性能，所以必须慎重选择器件。但是，该电路是为实验用的，仅规定了放大倍数与最大输出电压，所以如不超过晶...[全文]
- 两种类型酌晶体管2012/5/8 20:57:52 2012/5/8 20:57:52
- 实际上晶体管有两种类型，分别称NPN晶N760042CFLC053体管和PNP晶体管。它们都有如图2.2所示的两个PN结。该PN结为图2.3所示的二极管。可以这样认为，晶体管在基极一发射极间和基极...[全文]
- 基极一发射极间电压为0.6V2012/5/8 20:55:05 2012/5/8 20:55:05
- 照片2.4为基极电位口e与发射FS9952-LP1极电位u。的波形。在交流上，仇与u。的振幅与相位是完全相同的波形。如照片2.3所示训，与Vb在交流上是相同的波形，所以发射极电位训。成为与输入信号完...[全文]
- 电学特性控制2012/5/7 19:35:39 2012/5/7 19:35:39
- 晶体的电学特性是影响声表面10039851-101LF波器件可靠性的重要因素，其中电阻率和介电常数是主要的控制内容，一般要求其量值要在设计值的容差范围内，且要求均匀一致。晶体材料电学特性控制不适当，...[全文]
- 工艺可靠性设计2012/5/6 15:20:54 2012/5/6 15:20:54
- 1.工艺可靠性设计的目的和原则工艺可靠性设计的目的是保证声表面波器件LM2757TM/NOPB的工艺过程实现设计所赋予它的固有可靠性。开展声表面波器件的工艺可靠性设计，应遵循以下原则并结合器件特...[全文]
- 微特电机绕组制造的可靠性控制要求2012/5/5 19:28:06 2012/5/5 19:28:06
- 微特电机的线圈和绕组制PNA4603H造工艺包括绕线、嵌线、整形、接线等工序，其制造质量对电机的性能、可靠性和寿命有重要影响。如匝间短路会造成旋转变压器和自整角机的精度下降，使交流伺服电机存在自转；...[全文]
- 功能和价值分析技术2012/5/4 20:31:23 2012/5/4 20:31:23
- 功能分析指确定产品功MC55i能重要程度的过程，保证重点、消除多余度，做到既能满足用户使用要求，又能降低成本和缩短研制周期。应考虑各种因素对产品装配质量、可靠性的影响程度，并对零部件设计作出价值分析...[全文]
- 接触可靠性设计2012/5/4 20:28:21 2012/5/4 20:28:21
- 直流电机的换向器与电刷、信号3003S电机的集电环与电刷，在旋转过程中执行电的传递，若接触不良就降低了产品功能，若形成开路则产品完全丧失功能，故必须采取如下技术揩施保证其接触可靠性：①根据电流、转...[全文]
- 性能稳定性设计实例2012/5/3 19:39:46 2012/5/3 19:39:46
- 固体钽电容器是用于许多大型系统设备中的重要元件。在钽SLA4070电容器的参数中，漏电流是“敏感性”参数，也是主要的失效模式。研究固体钽电容器漏电流变化的速率6值和电压、温度之间的关系是十分重要的。...[全文]
- 接触系统可靠性设计的内容2012/5/1 20:24:02 2012/5/1 20:24:02
- 1)触点和簧片的材料选择要求正确地选择触点材料，可以提高继电IRF520NPBF器工作的可靠性和寿命。不同的继电器由于触点回路负载性质和断开容量不同，触点受到的磨损种类和磨损程度也不同；在设计选用...[全文]
- 可靠性设计的基本原则2012/5/1 20:13:48 2012/5/1 20:13:48
- 开展继电器可靠性IRG7PSH73K10PBF设计的基本原则主要有：①必须将产品的可靠性设计要求转化为明确的、定量化的可靠性设计指标，并有可靠性评价试验方案。②必须将可靠性设计贯穿于继电器性能设...[全文]
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