场效应管也是晶体管的一种类型，它是根据物理学中的场效应原理制成的。场效应N128D1618LPAG2-75I管的工作特性与普通晶体管相比有很大的不同，也有不少优点，如输入阻抗高、动态范围大、噪声低、功耗小等。除此以外，场效应管比普通晶体管易于集成，因此，目前集成电路大部分采用场效应管的制作方法来生产。场效应管在电路图中的画法如图3-9所示。

   图3-9中共有6种场效应管的符号，这6种场效应管可分为两类，一类是结型场效应管；一类是MOS型场效应管。

   结型场效应管又分为N沟道型[图(a)]和P沟道型[图(b)]两种。

   MOS型场效应管又称为绝缘栅场效应管，这种管又分为两类：一类为耗尽型[图(c)、图(d)]，另一类为增强型[图(e)、图(f)]。这两类中的每一类又有两种：一种为N沟道[图(c)、图(e)]；另一种为P沟道型[图(d)、图(f)]。

   场效应管有3个电极，榭极G、漏极D和源极S，分别相当于晶体管的基极B、集电极C和发射极E。