反向截止区。当二极P4KE13管的两端加反向电压时，PN结呈现出非常大的电阻值，因此，流过二极管的电流非常小，二极管处于截止状态，特性曲线的这一段称为反向截止区，即图3 - 25中的OC段。

   这时P区和N区内只有少数载流子在PN结内所建电位差电场力的作用下通过，表现出一个与电压（在一定范围内）关系不大的反向饱和电流，再加上PN结表面的一些漏电流，合成为二极管的反向漏电流。

   这一漏电流在室温下，小功率锗二极管约为几百微安，小功率硅二极管约为几微安。二极管的反向漏电流随温度的升高而增大，一般温度每升高10℃大约就会增大一倍。由于锗二极管本来反向电流就比较大，所以在应用时要特别注意。

   反向击穿区。当=极管上外加的反向电压高到一定值时，有可能因外加的电场过强而把被束缚在PN结中的电子强行拉出，使少数载流子数目剧增，也可能由于强电场引起电子与原子碰撞，产生大量新的载流子，这两种因素都会引起反向电流的急剧增大，称为电击穿，这时二极管的工作状态就进入了反向击穿区，即图3 - 25中的CD段。

   二极管开始出现电击穿的电压叫做反向击穿电压，不同二极管特性曲线是不同的，下面是几种二极管特性曲线的比较。

   图3 - 28 (a)为锗二极管2AP1、2AP4、2AP24的伏安特性曲线，从这三条曲线上可以看出：它们的死区电压和反向电流都大致相等；在加同样的正向电压时，2AP23的正向电流大，2AP1的正向电流小，2AP4的正向电流中等；2AP4的反向击穿电压高，2API的 反向击穿电压低，2AP23的反向击穿电压中等。图3-28 (b)为几种硅二极管2CP1、2CP2和2CPIA特性曲线的比较。