反向特性是指二极管加上反向电压时电流与电压之间的关系。TA2125AFG外加反向电压加强了内电场，有利于少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流。由于少数载流子数量的限制，这种反向电流在外加反向电压增加时并无明显增大，通常硅管为几微安到几十微安；锗管为几十微安到几百微安，故又称反向饱和电流。对应的这个区域称为反向截止区。
    当反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，特性曲线接近于陡峭直线，这种现象称为二极管的反向击穿。之所以产生反向击穿是因为过高的反向电压将产生很强的外电场，可以把价电子直接从共价键中拉出来，使其成为载流子。处于强电场中的载流子能获得足够的动能，又去撞击其他原子，把更多的价电子从共价键中撞击幽来，如此形成连锁反应，使载流子的数目急剧上升，反向电流越来越大，最后使二极管反向击穿。发生反向击穿时，二极管两端加的反向电压称为反向击穿电压，用BR表示。二极管反向击穿后，如果反向电流和反向电压的乘积超过容许的耗散功率，将导致二极管热击穿而损坏。
    二极管的伏安特性表达式
    在二极管两端施加正、反向电压时，通过管子的电流如图1.2.2所示，根据理论分析，该特性曲线可表达，ZD为流过二极管的电流；VD为二极管两端电压为温度电压当量，其中愚为玻耳兹曼常数，k=l. 38×10-23JlK，g为电子电荷，q=l.60×10-19 C，T为热力学温度，且p绝对温度，室温下(300K)Vr=26mV;I为二极管的反向饱和电流，对于分立器件，其典型值的范围为10-8～lo-14A，在集成电路中的二极管，其值更小。

             
    ①当二极管正偏时，电压VD为正值，当锄D比VT大几倍时，式中的evT远大于1，括号中的1可以忽略。这样二极管的电流ZD与电压成指数关系，如图1.2.2中横轴右半部分所示。
    ②当二极管反偏时，电压VD为负值，若IVD I比VT犬几倍时，指数项趋向，如图1.2.2中横轴左半部分所示。可见当温度一定时，反向饱和电流是个常数Is，不随外加反向电压的大小而变化。
    从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不是线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。