位置:51电子网 » 技术资料 » 模拟技术

推 挽

发布时间:2012/8/17 20:09:03 访问次数:1236

    图4.7的电路是为了改善由TEA2025B于空载电流引起输出波形被限幅的缺点,用P沟JFET源极跟随器替代源极电阻的电路,称为推挽源极跟随器(Push Pull SourceFollower)。(上下分别使用N沟FET和P沟FET构成推挽电路。之所以叫做“推挽”是因为相对于负载来说N沟FET流出电流(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载))
    这个电路的工作是对于负载来说N沟FET电流流出(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载),所以称为推挽电路。

                 
    与单管FET的源极跟随器不同,流过负载的电流全部通过上面或者下面的FET.所以输出波形不会被限幅。
    照片4.8是图4.7的电路接R=10001的负载,输入lkHz、2V,的正弦波时的输入输出波形。由于输出波形是0.8VP-P(±0.4V),所以IOOQ的负载上流过的电流为±4mA(±0.4V/100Q)。输出波形的正、负半周都没有被切去。
    但是,如果是无负载情况,输出电平应该是2VP-P而这个电路中是0.8Vp,振幅降低了。这是因为电路的输出阻抗对于所接续的100Q负载来说是一个不能够忽略的值。

    图4.7的电路是为了改善由TEA2025B于空载电流引起输出波形被限幅的缺点,用P沟JFET源极跟随器替代源极电阻的电路,称为推挽源极跟随器(Push Pull SourceFollower)。(上下分别使用N沟FET和P沟FET构成推挽电路。之所以叫做“推挽”是因为相对于负载来说N沟FET流出电流(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载))
    这个电路的工作是对于负载来说N沟FET电流流出(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载),所以称为推挽电路。

                 
    与单管FET的源极跟随器不同,流过负载的电流全部通过上面或者下面的FET.所以输出波形不会被限幅。
    照片4.8是图4.7的电路接R=10001的负载,输入lkHz、2V,的正弦波时的输入输出波形。由于输出波形是0.8VP-P(±0.4V),所以IOOQ的负载上流过的电流为±4mA(±0.4V/100Q)。输出波形的正、负半周都没有被切去。
    但是,如果是无负载情况,输出电平应该是2VP-P而这个电路中是0.8Vp,振幅降低了。这是因为电路的输出阻抗对于所接续的100Q负载来说是一个不能够忽略的值。

热门点击

 

推荐技术资料

泰克新发布的DSA830
   泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析,DS... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!