推 挽
发布时间:2012/8/17 20:09:03 访问次数:1236
图4.7的电路是为了改善由TEA2025B于空载电流引起输出波形被限幅的缺点,用P沟JFET源极跟随器替代源极电阻的电路,称为推挽源极跟随器(Push Pull SourceFollower)。(上下分别使用N沟FET和P沟FET构成推挽电路。之所以叫做“推挽”是因为相对于负载来说N沟FET流出电流(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载))
这个电路的工作是对于负载来说N沟FET电流流出(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载),所以称为推挽电路。
与单管FET的源极跟随器不同,流过负载的电流全部通过上面或者下面的FET.所以输出波形不会被限幅。
照片4.8是图4.7的电路接R=10001的负载,输入lkHz、2V,的正弦波时的输入输出波形。由于输出波形是0.8VP-P(±0.4V),所以IOOQ的负载上流过的电流为±4mA(±0.4V/100Q)。输出波形的正、负半周都没有被切去。
但是,如果是无负载情况,输出电平应该是2VP-P而这个电路中是0.8Vp,振幅降低了。这是因为电路的输出阻抗对于所接续的100Q负载来说是一个不能够忽略的值。
图4.7的电路是为了改善由TEA2025B于空载电流引起输出波形被限幅的缺点,用P沟JFET源极跟随器替代源极电阻的电路,称为推挽源极跟随器(Push Pull SourceFollower)。(上下分别使用N沟FET和P沟FET构成推挽电路。之所以叫做“推挽”是因为相对于负载来说N沟FET流出电流(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载))
这个电路的工作是对于负载来说N沟FET电流流出(推动负载),P沟FET吸入从负载流出的电流(曳引负载),所以称为推挽电路。
与单管FET的源极跟随器不同,流过负载的电流全部通过上面或者下面的FET.所以输出波形不会被限幅。
照片4.8是图4.7的电路接R=10001的负载,输入lkHz、2V,的正弦波时的输入输出波形。由于输出波形是0.8VP-P(±0.4V),所以IOOQ的负载上流过的电流为±4mA(±0.4V/100Q)。输出波形的正、负半周都没有被切去。
但是,如果是无负载情况,输出电平应该是2VP-P而这个电路中是0.8Vp,振幅降低了。这是因为电路的输出阻抗对于所接续的100Q负载来说是一个不能够忽略的值。
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