本电路中，源极跟随器源THX201极的负载是电阻Rs。当负载变重，从输出端取出大电流时，必须注意输出波形下半周被限幅的现象。
    照片4.7是负载电阻为R。一3.9kfl，输入10VP-P的正弦波时源极的波形口。。如果没有连接负载。当然是10V。的正弦波。由于连接了阻抗低的负载，所以波形的下半周被限幅。的交流成分是输出信号勘，所以这时vo的下半周同样地被限幅。

            
    
   （如果负载重，输出电流变大，源极电位的交流成分，即输出波形的下半周被限幅。它被源极电流（空载电流）所制约）
    照片4.7的源极电位训。是在无信号时的源极电位V。一7.8V与GND的中间值(3. 95V)处被切去的。
    图4.6是输出波形变负时源极跟随器的等效电路。电流源上连接Rs和R，使无信号时流过的源极电流达到ID=2mA.

   （源极电阻与负载电阻是交流并联的。如果把FET看作是流过电流达到空载电流的电流源，那么负载电阻两端的电压降，即输出电压将低于空载电流×电阻值。输出电压的下半周在这个电压处于被截止）这个电路的电流源交流负载R。和RL是并联的，所以电阻两端的电压降不低于-3.9V(一2mA×1.95kC2)。
    这样，电阻负载的源极跟随器如果没有把空载电流值提高到比最大输出电流还高程度，那么输出波形的下半周就会被限幅，也就得不到最大输出电压。
    究竟空载电流需要提高多少，因最大输出电流和输出电压的不同而异（图4.3中使用P沟FET的电路则相反，是上半周被限幅）。这种情况与双极晶体管的射极跟随器是相同的。