图4.7的电路中如果使用TIP525-1G增强型MOSFET（功率MOSFET几乎都是增强型的）时，电路有必要作些调整。
    照片4.9是将图4.7电路中的FET置换为中功率增强型MOSFET 2SK442（东芝）/2SJ123（东芝）时的输入输出波形（输入信号为8VP-P，负载为100Q）。

            
   （图4.7的电路中使用增强型FET时发生转换失真。其原因是增强型器件在VGS2ov时没有漏极电流流动）由于是推挽电路，所以波形没有被限幅。不过在输出波形的中央附近正弦波的正、负半周出现了不连续部分。这叫做转换失真或者跨越失真。
    出现这种失真的原因在于增强型FET的传输特性。
    增强型器件在Vcs =OV时不能够流过漏极电流(参见图2.12)，所以输入信号在交流OV附近形成了哪个FET都截止的无信号区(JFET等耗尽型FET在Vcs =OV时有电流流动，所以不截止)。在照片4.9中看到如果输入信号口i达不到约土2V时就没有漏极电流流动，所以输出信号在这一段就变成ov。
    因此，在使用增强型MOSFET的场合，如图4.8所示，必须加偏置电路使得在没有输入信号时也能够加上栅极电压V GS。
    照片4. 10是图4.8的电路中接100,Q,负载电阻，输入lkHz、8VP-P的正弦波时的输入输出波形。可以看出这时没有出现转换失真。
    双极晶体管的推挽射极跟随器也存在完全相同的问题。不过由于晶体管的基极一发射极间电压V BE与二极管的电压降相同，所以如图4.9所示对各晶体管来说，移动一个二极管的偏压就可以了。而FET的VGS当然不止是一个二极管的偏压值。
    图4.8的电路是实验性电路，它利用30k\0,咆阻的电压降作为MOSFET的偏置电压。由于FET的VGS也与晶体管的VBE同样地随温度而变化，所以在要求取出大电流的应用中必须给偏置电路加温度补偿，并对上下FET接人源极电阻以限制电流。