双极晶体管是以流过的LF347N基极电流工。控制集电极电流I，所以IB与Ic之比——直流电流放大系数hFE就成为器件的重要特性。
    对于FET，如图2.10所示，是通过改变栅极一源极间电压VGS控制漏极电流ID的，所以VGS与ID之比就成为器件的重要特性。把这个比值称为跨导g。（也叫做正向传输导纳1YfS1），用下式表示：

                
    
    式中，AVGS为VGS的变化量，AID为工D的变化量。
    图2. 10的传输特性中曲线的斜率相当于g，它的单位是电流与电压之比，即S（西[门子]）。
    gM意味着当输入电压(VGS)变化时输出电流（ID）会有多大的变化，可以认为是器件本身电流对电压的增益。在使用FET的放大电路中，gm愈大则电路的增益愈大，具有能够减小输出阻抗的优点。
    但是，gm大的FET存在着输入电容大因而高频特性差，流过栅极的漏电流大（输入阻抗低）等缺点。